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　　為培育戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，整合業(yè)內(nèi)技術(shù)、人才、信息等資源，實(shí)現(xiàn)投入少、回報(bào)高、見效快的技術(shù)創(chuàng)新模式，提升我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新能力和速度，在、等六部門聯(lián)合發(fā)布的《關(guān)于推動(dòng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟構(gòu)建的指導(dǎo)意見》指導(dǎo)下，根據(jù)要求試點(diǎn)聯(lián)盟積極探索整合資源，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)的精神，在基礎(chǔ)司和政策法規(guī)司的共同推動(dòng)下，于2012年1月正式批復(fù)依托半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟建設(shè)半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。

 

　　這是我國(guó)個(gè)依托聯(lián)盟建立的國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，是一個(gè)體制機(jī)制*創(chuàng)新的公共研發(fā)平臺(tái)，始終堅(jiān)持以產(chǎn)業(yè)價(jià)值為核心價(jià)值的理念，以產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新需求為基礎(chǔ)，以完善技術(shù)創(chuàng)新鏈為目標(biāo)，企業(yè)以項(xiàng)目資金投入，科研機(jī)構(gòu)、大學(xué)和其他社會(huì)組織以研發(fā)人員和設(shè)備的使用權(quán)投入，充分利用和整合現(xiàn)有資源，探索形成多種形式的政產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同創(chuàng)新模式，推動(dòng)建立基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究、成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化、先進(jìn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研制緊密結(jié)合、協(xié)調(diào)發(fā)展機(jī)制探索持續(xù)性投入機(jī)制，逐步形成可持續(xù)發(fā)展的開放的、化的非營(yíng)利研究實(shí)體，成為半導(dǎo)體照明的技術(shù)創(chuàng)新中心、人才培養(yǎng)中心、標(biāo)準(zhǔn)研制中心和產(chǎn)業(yè)化輻射中心。2013年1月實(shí)驗(yàn)室在荷蘭設(shè)立其海外研發(fā)實(shí)體機(jī)構(gòu)—“半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室代爾夫特研究中心”，成為中國(guó)在海外建立分中心的國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。

 

　　

 

 

　　半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室于1988年3月由國(guó)家計(jì)委組織專家論證并批準(zhǔn)后開始籌建，1990年開始對(duì)外開放，1991年11月通過了由國(guó)家計(jì)委組織的驗(yàn)收委員會(huì)驗(yàn)收?，F(xiàn)任實(shí)驗(yàn)室主任為王開友研究員。實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)主任為高鴻鈞院士。

 

　　實(shí)驗(yàn)室以研究和探索半導(dǎo)體體系中的新現(xiàn)象和新效應(yīng)為主要目標(biāo)，通過對(duì)固體半導(dǎo)體中的電子、自旋和光子的調(diào)控，探索其在電子/自旋量子信息技術(shù)、光電子及光子器件中的潛在應(yīng)用，從最基礎(chǔ)的層面上提升我國(guó)電子、光電子、光子信息技術(shù)的創(chuàng)新能力，提升我國(guó)在半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。實(shí)驗(yàn)室先后有5位成院士、12位成長(zhǎng)為國(guó)家杰出青年基金獲得者。為我國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的跨躍式發(fā)展做出重要貢獻(xiàn)。

 

　　實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有人員中包括研究員26人、高級(jí)工程師1人和管理人員1人，其院士、9位國(guó)家杰出青年基金獲得者、3位優(yōu)秀青年科學(xué)基金獲得者、1位北京杰出青年基金獲得者。

 

　　自成立以來(lái)，實(shí)驗(yàn)室承擔(dān)了近百個(gè)、基金委和的重大和重點(diǎn)項(xiàng)目，取得了可喜的科研成果，獲得國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)5項(xiàng);黃昆先生獲得2001年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)。2004年半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室被授予國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室計(jì)劃先進(jìn)集體稱號(hào)。實(shí)驗(yàn)室具有良好的科研氛圍、科研設(shè)備和環(huán)境條件，擁有雄厚的科研積累和奮發(fā)向上的科研團(tuán)隊(duì)，并多次獲得國(guó)家自然基金委員會(huì)的創(chuàng)新研究群體科學(xué)基金。

 

　　實(shí)驗(yàn)室每年可接收40名碩士、博士研究生和博士后。現(xiàn)有研究生和博士后100余人。

 

　　*半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室儀器配置情況未公布

 

 

　　高功率半導(dǎo)體激光國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室成立于1997年，由原國(guó)防科工委和原兵器工業(yè)總公司投資建設(shè)，經(jīng)過二十年的發(fā)展建設(shè)，實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)成為我國(guó)光電子領(lǐng)域的重要研究基地和人才培養(yǎng)基地之一?，F(xiàn)有科研、辦公面積3800平方米，超凈實(shí)驗(yàn)室面積為1500平方米;生產(chǎn)開發(fā)平臺(tái)面積為600平方米，其中超凈實(shí)驗(yàn)室面積為200平方米。

 

　　現(xiàn)有博士學(xué)位一級(jí)學(xué)科2個(gè)、碩士學(xué)位一級(jí)學(xué)科2個(gè)、國(guó)防特色學(xué)科1個(gè)、博士后科研流動(dòng)站1個(gè)。實(shí)驗(yàn)室有研究人員36人，其中雙聘院士1人、教授9人、副教授10人，博士生導(dǎo)師10人，重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃總體專家1人，國(guó)家獎(jiǎng)評(píng)審專家1人，國(guó)防科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)評(píng)審專家1人，吉林省長(zhǎng)白山學(xué)者1人。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有MBE、MOCVD等先進(jìn)的半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)設(shè)備，SEM、XRD、PL等完善的材料分析檢測(cè)手段，電子束蒸發(fā)、磁控濺射、芯片解理、貼片、激光焊接、平行封焊、綜合測(cè)試等工藝設(shè)備，設(shè)備資產(chǎn)1.2億元，為光電子領(lǐng)域的相關(guān)研究提供了的條件支撐。

 

　　在半導(dǎo)體激光研究方向上，高功率半導(dǎo)體激光國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室代表著國(guó)家水平，研制的半導(dǎo)體激光器單管輸出功率大于10瓦、光纖耦合模塊大于100瓦、以及高頻調(diào)制、脈沖輸出等半導(dǎo)體激光器組件，技術(shù)處于國(guó)內(nèi)水平;在基礎(chǔ)研究領(lǐng)域，深入開展了GaSb材料的外延生長(zhǎng)理論及技術(shù)研究，研究成果達(dá)到水平;在半導(dǎo)體激光應(yīng)用基礎(chǔ)技術(shù)研究領(lǐng)域，堅(jiān)持以滿足裝備應(yīng)用為目標(biāo)，研制的駕束制導(dǎo)半導(dǎo)體激光發(fā)射器成功用于我軍現(xiàn)役主戰(zhàn)坦克系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了駕束制導(dǎo)領(lǐng)域跨越式發(fā)展;研制的激光敏感器組件已經(jīng)用于空軍某型號(hào)末中，并將在多個(gè)平臺(tái)上推廣應(yīng)用。近年來(lái)，實(shí)驗(yàn)室在國(guó)內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文600余篇，出版專著7部，獲國(guó)家、省部級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)40余項(xiàng)，申請(qǐng)發(fā)明50余項(xiàng)，鑒定成果40余項(xiàng)，對(duì)我國(guó)的國(guó)防裝備發(fā)展作出了重要貢獻(xiàn)。

 

高功率半導(dǎo)體激光重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室儀器配置

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕

掃描電子顯微鏡

光刻機(jī)

磁控濺射鍍膜機(jī)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

X射線雙晶衍射儀

光刻機(jī)

快速圖譜儀

電化學(xué)C-V分布測(cè)試儀,PN4300,英國(guó)伯樂

光熒光譜儀

特種光纖熔接機(jī)

丹頓電子束鍍膜機(jī)

SVT超高真空解理機(jī)

光譜分析儀

萊寶電子束鍍膜機(jī)

半導(dǎo)體激光器芯片貼片機(jī)

金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀（MOCVD）

磁控濺射臺(tái)

 

 

　　電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室是以新型傳感器重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、電子信息材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和功率半導(dǎo)體技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室為基礎(chǔ)于2006年7月建立的。

 

　　目前，實(shí)驗(yàn)室緊密圍繞國(guó)家IT領(lǐng)域的戰(zhàn)略目標(biāo)，立足于電子信息材料與器件的發(fā)展前沿，堅(jiān)持需求與發(fā)展并舉、理論與實(shí)踐并重，致力于新型電子薄膜材料與集成電子器件的研究和開發(fā)，促進(jìn)材料—器件—微電子技術(shù)的交叉和集成。

 

　　實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有研究人員80人，管理人員6人，技術(shù)人員3人;客座研究人員18人。在固定研究人員中已形成以陳星弼院士為帶頭人的一支以45歲左右為核心、35歲左右為主力的骨干研究隊(duì)伍。隊(duì)伍中包院士1人，院士1人，國(guó)家自然基金委創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)2個(gè)，國(guó)防科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)1人，創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)2人，博導(dǎo)58人。實(shí)驗(yàn)室擁有1個(gè)國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科、5個(gè)博士點(diǎn)以及5個(gè)碩士點(diǎn)，已具備每年250名左右碩士生、40名左右博士生、20名左右博士后的人才培養(yǎng)規(guī)模。

 

　　實(shí)驗(yàn)室覆蓋了微電子學(xué)與固體電子學(xué)、電子材料與元器件、材料科學(xué)與工程、材料物理化學(xué)、材料學(xué)5個(gè)博士點(diǎn)學(xué)科，擁有電子科學(xué)與技術(shù)、材料科學(xué)與工程2個(gè)博士后流動(dòng)站，其中微電子學(xué)與固體電子學(xué)為國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科。實(shí)驗(yàn)室面積近4000 m2，擁有儀器設(shè)備500余套，價(jià)值8000余萬(wàn)人民幣。已初步建成具有水平的“材料與器件制造工藝平臺(tái)”、“微細(xì)加工平臺(tái)”、“電磁性能測(cè)試與微結(jié)構(gòu)表征平臺(tái)”和“集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)”，具備承擔(dān)國(guó)家重大基礎(chǔ)研究項(xiàng)目的能力。

 

　　近5年，實(shí)驗(yàn)室科研工作碩果累累。目前，實(shí)驗(yàn)室共承擔(dān)包括國(guó)家自然基金、973、863等各類項(xiàng)目在內(nèi)的民口縱向項(xiàng)目和校企合作項(xiàng)目等科技項(xiàng)目共約200余項(xiàng)，總經(jīng)費(fèi)達(dá)2億元，其中，2009年的科研經(jīng)費(fèi)超過7000萬(wàn)元?？蒲谐晒@獎(jiǎng)勵(lì)7項(xiàng)，省部級(jí)獎(jiǎng)24項(xiàng)，市級(jí)獎(jiǎng)5項(xiàng)，申請(qǐng)發(fā)明150余項(xiàng)，獲得包括美國(guó)發(fā)明在內(nèi)的40余項(xiàng)，發(fā)表學(xué)術(shù)論文1000余篇，出版學(xué)術(shù)專著和教材7部。取得了包括“新耐壓層與全兼容功率器件”等一系列標(biāo)志性成果。實(shí)驗(yàn)室堅(jiān)持面向社會(huì)，服務(wù)社會(huì)，致力于科研成果的推廣和應(yīng)用，“半導(dǎo)體陶瓷電容器”、“功率鐵氧體及寬頻雙性復(fù)合材料”、“集成電路系列產(chǎn)品”等科研成果的成功轉(zhuǎn)化，企業(yè)取得4億多元的直接經(jīng)濟(jì)效益及良好的社會(huì)效益。

 

　　*電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室儀器配置情況未公布

 

 

　　專用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(復(fù)旦大學(xué))于1989年經(jīng)國(guó)家計(jì)委批準(zhǔn)建設(shè)，1995年9月正式通過國(guó)家驗(yàn)收。實(shí)驗(yàn)室依托復(fù)旦大學(xué)國(guó)家重點(diǎn)一級(jí)學(xué)科“電子科學(xué)與技術(shù)”，以及“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”與“電路與系統(tǒng)”兩個(gè)國(guó)家重點(diǎn)二級(jí)學(xué)科。

 

　　實(shí)驗(yàn)室面向集成電路主流的學(xué)術(shù)前沿問題和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大需求，聚焦高能效系統(tǒng)芯片及其核心IP設(shè)計(jì)，開展數(shù)字、射頻與數(shù)?；旌闲盘?hào)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新研究，同時(shí)進(jìn)行新器件新工藝和納米尺度集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)的研究。形并滿足國(guó)家戰(zhàn)略需求的標(biāo)志性創(chuàng)新成果，使實(shí)驗(yàn)室成為我國(guó)在集成電路設(shè)計(jì)方向上科學(xué)研究、技術(shù)創(chuàng)新與高層次人才培養(yǎng)具有重要影響力的基地，為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)尤其是集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的跨越式發(fā)展做出重大貢獻(xiàn)。

 

　　瞄準(zhǔn)集成電路發(fā)展前沿，面向國(guó)家重大需求，面向國(guó)民經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)，緊緊圍繞主要研究方向，實(shí)驗(yàn)室承擔(dān)了大量國(guó)家863計(jì)劃、973計(jì)劃、國(guó)家科技重大專項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)防預(yù)研項(xiàng)目、省部級(jí)項(xiàng)目以及各類合作項(xiàng)目，在重要刊物和會(huì)議上發(fā)表大量高質(zhì)量學(xué)術(shù)論文，獲得多項(xiàng)發(fā)明，榮獲多項(xiàng)二等獎(jiǎng)、省部級(jí)一等獎(jiǎng)、二等獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)。

 

　　實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有固定人員68人，其中，教授(研究員)43人，包括院士1人，國(guó)家入選者5人，國(guó)家青年千人2人，國(guó)家杰出基金獲得者4人，長(zhǎng)江學(xué)者特聘教授2人、IEEE Fellow 1人。在實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有固定人員中，有多名國(guó)家和部委聘任的科技專家，包括1名國(guó)家“核心電子器件、通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”科技重大專項(xiàng)專家，2名國(guó)家“極大規(guī)模集成電路裝備和成套工藝”科技重大專項(xiàng)專家，4名科技術(shù)“863”計(jì)劃專家?guī)鞂＜?。按?ldquo;創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)+優(yōu)秀研究小組”的建設(shè)思路，打造了實(shí)驗(yàn)室年輕化、團(tuán)隊(duì)化、化的研究隊(duì)伍。

 

　　實(shí)驗(yàn)室擁有器件與工藝子平臺(tái)環(huán)境和集成電路設(shè)計(jì)環(huán)境。器件與工藝子平臺(tái)現(xiàn)有千級(jí)凈化面積約600平方米，百級(jí)凈化面積100平方米，配備了價(jià)值近1億元的設(shè)備，具有開展先進(jìn)納米CMOS器件和工藝的研發(fā)能力。集成電路設(shè)計(jì)環(huán)境已可提供Cadence、Mentor Graphics、Synopsys、Altera、Xilinx等公司軟件環(huán)境，提供相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)化仿真模型，支持教學(xué)、科研、產(chǎn)品設(shè)計(jì)與制造。實(shí)驗(yàn)室平臺(tái)本著“集中、共享、升級(jí)、開放”的原則為實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)研究服務(wù)。

 

　　實(shí)驗(yàn)室積極開展多渠道學(xué)術(shù)交流，承辦ICSICT、ASICON等多個(gè)重要會(huì)議，參加學(xué)術(shù)會(huì)議并做特邀報(bào)告，積極開展科技合作和交流。依托“重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)訪問學(xué)者基金”和設(shè)立開放課題，吸引國(guó)內(nèi)外高水平研究人員來(lái)實(shí)驗(yàn)室開展合作研究，加強(qiáng)了實(shí)驗(yàn)室研究的前瞻性和化程度。

專用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室儀器配置

熱阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備

化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

全自動(dòng)探針臺(tái)

存儲(chǔ)器參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器參數(shù)測(cè)試儀

掃描探針顯微鏡

手動(dòng)探針臺(tái)

電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)

臺(tái)階分析儀

芯片測(cè)試系統(tǒng)

柔性四件組裝加工手套箱

大面積柔性三維光刻

柔性電子制造設(shè)備

亞微米級(jí)貼片設(shè)備

無(wú)線和微波頻段測(cè)試系統(tǒng)

激光鍵合設(shè)備

臺(tái)式掃描式電子顯微鏡

柔性四件電化學(xué)加工測(cè)試平臺(tái)

高性能頻譜分析儀

高性能頻譜分析儀

等離子刻蝕系統(tǒng)

實(shí)驗(yàn)室電路板快速系統(tǒng)（激光機(jī)）

射頻探針臺(tái)

原位納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)

超低溫手動(dòng)探針臺(tái)

智能型傅立葉紅外光譜分析儀

顯微喇曼/熒光光譜儀

數(shù)字電視芯片測(cè)試系統(tǒng)

氣相沉積系統(tǒng)

薄膜沉積系統(tǒng)

化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

超高真空激光分子束系統(tǒng)

原子層淀積系統(tǒng)

矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀

微波退火設(shè)備

準(zhǔn)分子氣體激光器

高精密電學(xué)測(cè)試探針臺(tái)

納米熱分析系統(tǒng)

信號(hào)源分析儀

頻譜分析儀

X射線衍射儀

矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀

矢量信號(hào)源

實(shí)時(shí)示波器

橢圓偏振光譜儀

硬件加速仿真驗(yàn)證儀

頻譜分析儀

矢量信號(hào)發(fā)生器

矢量信號(hào)分析儀

銅互連超薄籽晶層集成濺射和測(cè)試系統(tǒng)

半導(dǎo)體晶片探針臺(tái)

互連銅導(dǎo)線成分分析儀

化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

低介電常數(shù)介質(zhì)電容（K值）測(cè)試設(shè)備

微細(xì)加工ICP刻蝕機(jī)

快速熱退火系統(tǒng)

探針測(cè)試臺(tái)

半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

白光干涉儀

桌上型化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備

納米壓印設(shè)備

原子層淀積系統(tǒng)

高精度探針臺(tái)

探針測(cè)試臺(tái)

納米器件濺射儀

存儲(chǔ)薄膜濺射儀

原子層化學(xué)氣相沉淀系

等離子反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

物理氣相淀積系統(tǒng)

等離子體增強(qiáng)介質(zhì)薄膜

化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)

銅電鍍系統(tǒng)

 

 

　　集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室成立于1987年，1991年正式對(duì)外開放?，F(xiàn)由吉林大半導(dǎo)體研究所兩個(gè)實(shí)驗(yàn)區(qū)聯(lián)合組成。在1994年、2004年國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室建立十周年以及二十周年總結(jié)表彰大會(huì)上，被評(píng)為“國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室先進(jìn)集體“，并獲“金牛獎(jiǎng)”。在2002年、2007年、2012年信息領(lǐng)域國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室評(píng)估中，連續(xù)三次被評(píng)為“優(yōu)秀實(shí)驗(yàn)室”，2017年被評(píng)為“良好實(shí)驗(yàn)室”。

 

　　研究方向包括有機(jī)光電器件、寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件、超快光電子、納米光電子、能源光電技術(shù)五個(gè)研究方向。實(shí)驗(yàn)室重點(diǎn)研究基于半導(dǎo)體光電子材料、有機(jī)光電子材料、微納光電子材料的各種新型光電子器件以及光子集成器件和芯片，研究上述器件及芯片在光纖通信系統(tǒng)與網(wǎng)絡(luò)、信息處理與顯示中的應(yīng)用技術(shù)。研究?jī)?nèi)容為：半導(dǎo)體光電子材料(包括低維量子結(jié)構(gòu)材料)、有機(jī)光電子材料、微納光電子材料;新型光電子器件物理(包括器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與模擬);基于上述材料的光電子集成器件的制作工藝及其功能芯片集成技術(shù);光電子器件及芯片在光通信、光互連、光顯示、光電傳感方面應(yīng)用技術(shù)研究。

 

　　*集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室儀器配置情況未公布

 

 

　　1985年，在浙江大學(xué)半導(dǎo)體材料研究所的基礎(chǔ)上，由原國(guó)家計(jì)委批準(zhǔn)建設(shè)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(原名高純硅及硅烷國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室)，88年正式對(duì)外開放。是國(guó)內(nèi)建立的國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室之一。以重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室為依托的浙江大學(xué)材料物理與化學(xué)學(xué)科(原半導(dǎo)體材料學(xué)科)一直是全國(guó)重點(diǎn)學(xué)科，1978年獲批*批碩士點(diǎn)(半導(dǎo)體材料)，1985年獲批個(gè)半導(dǎo)體材料工學(xué)博士點(diǎn)。

 

　　從上世紀(jì)50年代開始，浙江大學(xué)在硅烷法制備多晶硅提純技術(shù)、摻氮直拉硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)基礎(chǔ)研究等取得系列重大成果，在上占有*的地位;同時(shí)，實(shí)驗(yàn)室一直堅(jiān)持“產(chǎn)、學(xué)、研”緊密結(jié)合，培育出浙江金瑞泓科技股份有限公司等國(guó)內(nèi)硅材料的，取得顯著經(jīng)濟(jì)效益。自上世紀(jì)90年代以來(lái)，實(shí)驗(yàn)室研究方向不斷拓寬。目前，實(shí)驗(yàn)室以硅為核心的半導(dǎo)體材料為重點(diǎn)，包括半導(dǎo)體硅材料、半導(dǎo)體薄膜材料、復(fù)合半導(dǎo)體材料以及微納結(jié)構(gòu)與材料物理等研究方向。

 

　　2013年至2017年期間，實(shí)驗(yàn)室共獲得國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)2項(xiàng)，國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2項(xiàng)

 

　　，浙江省科學(xué)技術(shù)(發(fā)明)一等獎(jiǎng)5項(xiàng)，技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。江西、湖北省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步(技術(shù)發(fā)明)一等獎(jiǎng)各1項(xiàng)(合作)，自然科學(xué)二等獎(jiǎng)1項(xiàng)，浙江省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)2項(xiàng)。發(fā)表SCI檢索論文1996篇，獲得國(guó)家發(fā)明492項(xiàng)。已成為國(guó)家在本領(lǐng)域的科學(xué)研究、人才培養(yǎng)和交流的主要基地之一。

　　

 

　　除了上述國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，還有新型功率半導(dǎo)體國(guó)家實(shí)驗(yàn)室以及光伏技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等企業(yè)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。

 

　　此外，還有中科院半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室、光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、發(fā)光材料與器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、發(fā)光學(xué)及應(yīng)用國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)的實(shí)驗(yàn)室等。

 

　　

 

　　

 

　　綜合來(lái)看，光刻機(jī)、化學(xué)氣相沉積設(shè)備、電鏡（尤其是掃描電鏡和原子力顯微鏡）、X射線衍射、磁控濺射儀、半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀、能譜儀、探針測(cè)試臺(tái)、刻蝕設(shè)備、光譜測(cè)試設(shè)備、蒸發(fā)鍍膜設(shè)備、橢偏儀、分子束外延設(shè)備等儀器配置頻率較高。

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