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技術(shù)文章
測定三氯氫硅中痕量磷
點(diǎn)擊次數(shù)：785 發(fā)布時(shí)間：2014-10-31
TP8000型“高溫氫還原-火焰光度氣相色譜儀”簡介
（測定三氯氫硅中痕量磷儀器）
一、 前言
半導(dǎo)體硅材料中磷含量的高低，直接影響器件的電性能。隨著硅材料研究及生產(chǎn)的不斷提高，對(duì)于原材料三氯氫硅中磷的測試靈敏度、速度、準(zhǔn)確度提出更高要求。
三氯氫硅中雜質(zhì)磷的分析，傳統(tǒng)的方法為將雜質(zhì)磷轉(zhuǎn)變成磷鉬雜多酸，再還原成磷鉬藍(lán)進(jìn)行比色測定。在此基礎(chǔ)上后來有改進(jìn)，諸如經(jīng)苯肟酮或硫氰化銨比色測定鉬，或利用化學(xué)光譜法測出鉬量進(jìn)而間接換算出磷含量；加大取樣量等。雖然在靈敏度上有一定提高，但都要經(jīng)過使磷形成磷鉬雜多酸這一過程。為要形成穩(wěn)定的絡(luò)合物來分離基本和消除雜質(zhì)干擾，化學(xué)分離手續(xù)相當(dāng)繁雜，分析時(shí)間長，而且，測定靈敏度也不能滿足生產(chǎn)上的要求。
為了提高三氯氫硅中雜質(zhì)磷分析靈敏度和速度，國內(nèi)外相關(guān)科研人員做了大量工作。例如，有專家采用氣相色譜法測定了三氯氫硅中以PCL3與POCL3形式存在的磷含量。然而，三氯氫硅中雜質(zhì)磷還可能以其他形式存在（例如，PCL5、PSCL3），因此，欲采用氣相色譜法測定總磷含量，首先要保證樣品中以各種形式存在的磷都能從分離柱中流出，這無疑是一項(xiàng)很艱巨的工作，至今尚未見到報(bào)道。又例如，有專家采用“ICP—MS”法測定三氯氫硅中痕量雜質(zhì)磷，測試方法雖然簡捷，遺憾的是，測定靈敏度下限僅為0.3PPb，不能滿足多晶硅生產(chǎn)工藝對(duì)三氯氫硅中雜質(zhì)磷的分析要求（工藝要求三氯氫硅中雜質(zhì)磷含量應(yīng)小于0.1PPb）。
二、 測定三氯氫硅中痕量磷儀器“高溫氫還原—火焰光度氣相色譜儀”。
針對(duì)上述現(xiàn)狀，我公司專家級(jí)工程師經(jīng)過多年在硅行業(yè)的豐富經(jīng)驗(yàn)，與大量的切合實(shí)戰(zhàn)分析，研制出測定三氯氫硅中痕量磷儀器“高溫氫還原—火焰光度氣相色譜儀”。進(jìn)幾年已在國內(nèi)硅行業(yè)多個(gè)生產(chǎn)廠家得到應(yīng)用，反應(yīng)*，與價(jià)格昂貴的“ICP-MS”法比較有廉價(jià)實(shí)用，快速測定，痕量（≤0.06PPb）分析，耗材低等特性。對(duì)于快速反應(yīng)指導(dǎo)三氯氫硅生產(chǎn)工藝，更加提純硅產(chǎn)品，為社會(huì)提供更的單晶硅產(chǎn)品，是我司特別推出此套分析儀器的宗旨，也是您可信賴的合作伙伴。
TP8000分析儀總磷測定
三氯氫硅———————————→多晶硅————→單晶硅產(chǎn)品
三、 儀器的特點(diǎn)和指標(biāo)
1、 所測三氯氫硅中雜質(zhì)磷含量為總磷含量；
2、 三氯氫硅中雜質(zhì)磷含量測定下限為0.06PPb；
3、 測定手續(xù)簡便只需用注射針筒向儀器注入三氯氫硅即可；
4、 測定周期短，自注入三氯氫硅到測出磷化氫峰高（或面積）需時(shí)20分鐘；
5、 儀器結(jié)構(gòu)簡潔、直觀，便于使用和維修。
儀器選購及售后服務(wù)
在你購買儀器前協(xié)助你全面了解儀器的性能、特點(diǎn)，儀器選型的全面咨詢服務(wù)。在您購買儀器后，我們可派專業(yè)技術(shù)人員前往您的單位進(jìn)行儀器的安裝、啟動(dòng)、調(diào)試。定期舉辦培訓(xùn)班，長期供應(yīng)儀器的易損、易耗件。依國家行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，儀器實(shí)行三包，保質(zhì)期十二個(gè)月，終身維修，自接到用戶詢問后，24小時(shí)內(nèi)答復(fù)，若需到現(xiàn)場，48小時(shí)內(nèi)到位，做好售后服務(wù)。