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GJB 548B-2005 微電子器件試驗方法和程序
點擊次數(shù)：3234 發(fā)布時間：2014-10-29
GJB 548B-2005 代替 GJB 548A-1996
中華人民共和國國家軍用標準
微電子器件試驗方法和程序
Test methods and procedures for microelectronic device
方法 1009.2 鹽霧（鹽汽）
1 目的
本試驗是為了模擬海邊空氣對器件影響的一個加速的腐蝕試驗
1.1 術(shù)語和定義
1.1.1 腐蝕 corrosion
指涂層和（或）底金屬由于化學或電化學的作用而逐漸地損壞
1.1.2 腐蝕部位 corrosion site
指涂層和（或）底金屬被腐蝕的部位，即腐蝕位置
1.1.3 腐蝕生成物（淀積物） corrosion product（dcposit）
指腐蝕作用的結(jié)果（即銹或氧化鐵、氧化鎳、氧化錫等）。腐蝕生成物可能在原來腐蝕部位，或者由于鹽液的流
動或蔓延而覆蓋非腐蝕區(qū)域。
1.1.4 腐蝕色斑 corrosion stain
腐蝕色斑是由腐蝕產(chǎn)生的半透明沉淀物。
1.1.5 氣泡 blister
指涂層和底金屬之間的局部突起和分離
1.1.6 針孔 pinhole
指涂層中產(chǎn)生的小孔，它是*貫穿涂層的一種缺陷。
1.1.7 凹坑 pitting
指涂層和（或）底金屬的局部腐蝕，在某一點或小區(qū)域形成空洞
1.1.8 起皮 flaking
指局部涂層分離，而使底金屬顯露
2 設(shè)備
鹽霧試驗所用設(shè)備應包括：
a） 帶有支撐器件夾具的試驗箱。該箱及其附件應彩不會與鹽霧發(fā)生作用的材料（玻璃、塑料等）制造。在試驗
箱內(nèi)，與試驗樣品接觸的所有零件，應當用不產(chǎn)生電解腐蝕的材料制造。該箱應適當通風，以防止產(chǎn)生“高壓”
，并保持鹽霧的均勻分布；
b） 能適當?shù)胤乐怪車h(huán)境條件對鹽溶液容器的影響。如需要，為了進行長時間試驗，可采用符合試驗條件C和D（
見3.2）要求的備用鹽溶液容器；
c） 使鹽液霧化的手段，包括合適的噴嘴和壓縮空氣或者由20%氧、80%氮組成的混合氣體（應防止諸如油和灰塵
等雜質(zhì)隨氣體進入霧化器中）;
d） 試驗箱應能加熱和控制
e） 在高于試驗箱溫度的某溫度下，使空氣潮濕的手段；
f） 空氣或惰性氣體于燥器；
g） 1倍~3倍、10倍~20倍和30倍~60倍的放大鏡。
3 程序
3.1 試驗箱的維護和初始處理
試驗箱的清洗是為了保證把會對試驗結(jié)果產(chǎn)生不良影響的所有物質(zhì)清除出試驗箱。使試驗箱工作在（35±3）℃
，用去離子水或蒸餾水進行必要的清洗。每當容器里的鹽溶液用完時，就應當清洗試驗箱。某些試驗可能在清洗
之前進行，這取決于盛鹽溶液的容器的大小和所規(guī)定的試驗條件（見3.2）。當需要做長時間試驗（見3.2的試驗
條件C和D）時，盛鹽溶液的容器可采用備用的容器來補充，以便試驗不中斷。清洗后，試驗箱開始工作時，鹽溶
液應補滿該容器，并且應對試驗箱進行適當?shù)乜刂?，使其溫度穩(wěn)定（見3.1.4）。如果試驗箱中斷工作超過一個
星期，即使還留有鹽溶液，也應廢棄。而且試驗箱在重新開始工作之前應當進行清洗。如果鹽溶液的pH值和濃度
保持在3.1.1中規(guī)定的范圍之內(nèi)，允許試驗箱不連續(xù)工作。
3.1.1 鹽溶液
為了達到3.1.4所要求的淀積速率，鹽溶液的濃度應為0.5%~3.0%（重量百分比）的去離子水或蒸餾水溶液。所用
的鹽應為氯化鈉，其*的質(zhì)量百分比不得多于0.1%，且總雜質(zhì)的質(zhì)量百分比不得多于0.3%。在（35±3）℃
下測量時，鹽溶液的pH值應在6.5~7.2 之間。只能用化學純的鹽酸或氫氧化鈉（稀溶液）來調(diào)整pH值。
3.1.2 引線的預處理
除另有規(guī)定外，試驗樣品不應進行預處理。當有要求時（見4c），樣品進行試驗之前，器件引線應按方法2004試
驗條件B1的要求，承受彎曲應力的初始處理。如果進行試驗的樣品已經(jīng)作為其他試驗的一部分進行過所要求的初
始處理，那么，其引線無需重新彎曲。
3.1.3 試驗樣品的安置
樣品應按下述方位安置在固定的夾具上（有機玻璃棒、尼龍或玻璃纖維篩、尼龍繩等）。樣品應這樣安置，使它
們彼此不接觸，彼此不遮擋，能自由地接受鹽霧作用，腐蝕生成物和凝聚物不會從一個樣品落到另一個樣品上。
a） 引線固定于封裝側(cè)面或引線從封裝側(cè)面引出的雙列封裝（例：側(cè)面纖焊雙列封裝和陶瓷玻璃熔封雙列封裝）
：蓋面向上，偏離垂直方向15°~45°。將有引線的一個封裝側(cè)面向上，偏離垂直方向大于或等于15°（見圖Ia）
）
b） 引線固定于封裝底部（與蓋板相對的那一面）或引線從底部引出的封裝（例如金屬圓形封裝，金屬平板封裝
）：蓋板偏離垂直方向15°~45°。試驗時一半樣品應蓋面向上；剩下一半，引線向上（見圖1b）
c） 引線固定于封裝某一面或從某一面引出，且與蓋板平行的封裝（例如扁平封裝）：蓋板偏離垂直方向15°~45
°將有引線的封裝面向上，且偏離垂直方向或等于15°。對金屬殼封裝，試驗時一半樣品封帽向上。剩下的樣品
外殼向上。其他封裝都應蓋板向上做試驗（見圖1c）。
d） 無引線或有引線片式載體：蓋板偏離垂直方向15°~45°,試驗時一半樣品蓋板向上，剩余的樣品蓋板向下（
見圖1d）
注1：對于要求進行兩種取向的試驗，應把規(guī)定的樣品數(shù)分成兩等份（或盡可能接近一半）。在所有的情況下，
對所有的封裝表面按3.4進行試驗后的檢查。
注2：對開有窗口的紫外線可擦器件進行試驗時，要采取保護措施，以防止光感應電動勢產(chǎn)生電解作用。
3.1.4 試驗箱的控制
按照第3章的要求對試驗箱進行處理之后，具有溫度至少35℃的鹽霧在規(guī)定的試驗時間內(nèi)（見3.2）流過試驗箱。
試驗箱內(nèi)的溫度應保持在（35±3）℃。鹽霧的濃度和速度應調(diào)節(jié)到使得鹽在試驗區(qū)域內(nèi)的淀積速率在（20~50）
g/（m2·d）之間。鹽的淀積速率可以用體積的、重要的或其他方法來測定（由用戶任意選擇）。在試驗箱底部收
集的鹽液應廢棄。
3.2 試驗時間
應從下列試驗條件中規(guī)定試驗的zui短時間。除另有規(guī)定外，應采用試驗條件A
3.3樣品檢驗的準備工作
完成試驗后，試驗樣品應立即用自由流動的去離子水（水溫不得超過38℃）至少沖洗5min，以便除去樣品表面沉
淀的鹽。而后樣品用空氣或惰性氣體吹干，進行下述檢查。
表1 試驗條件
試驗條件 試驗時間h
A 24
B 48
C 96
D 240
3.4 失效判據(jù)
除3.4.1 b）和3.4.1 c）另有規(guī)定外，所有檢查都應在放大10倍~20倍的情況下進行。
注1：腐蝕色斑不應認為是3.4.1a）中所指的缺陷
注2: 由引線腐蝕產(chǎn)生的淀積在引線以外部位的腐蝕生成物，不應認為是3.4.1a）中所指的缺陷。
注3：引線端頭的腐蝕和由此腐蝕產(chǎn)生的腐蝕生成物，不應判為不合格。
注4：若由于幾何形狀尺寸或設(shè)計（例如針柵陣列封裝的引線底部或陶瓷雙列封裝的釬焊部分）不能按3.4.1b（
作進一步試驗的引線，應根據(jù)3.4.1a）失效判據(jù)進行判定。
3.4.1 帶有表面鍍涂的產(chǎn)品
器件出現(xiàn)以下情況則不能接收：
a） 腐蝕缺陷面積超過除引線外的任何封裝零件（例如蓋板、管帽或外殼）鍍涂或底金屬面積的5%。在測量中要
計入的腐蝕缺陷有：凹坑、氣泡、起皮和腐蝕生成物。腐蝕缺陷面積由以下方法確定：用已知缺陷面積的卡片或
照片（見圖2）進行比較，用網(wǎng)格或類似的測量器具或鏡像分析儀直接測量。
b） 引線缺損、斷裂或部分分離。此外，若引線出現(xiàn)針孔、凹坑、氣泡、起皮、腐蝕生成物*跨越引線，或玻
璃封裝中出現(xiàn)針孔、凹坑、氣泡、起皮、腐蝕生成或腐蝕色斑的引線，應進一步做如下試驗：在引線缺陷處彎曲
90°，使拉伸應力加到缺陷處。若出現(xiàn)引線的斷裂或底層金屬的破裂面超過引線橫截面積的50%，應拒收。若有
多處出現(xiàn)缺陷，應在腐蝕zui嚴重處進行彎曲。對10根以上引線出現(xiàn)缺陷的封裝，只需對zui多10根腐蝕zui嚴重引線
進行彎曲。應放大30倍~60倍進行破裂情況檢查。
c） 規(guī)定標志的一部分脫落、褪色、弄臟、模糊或不可辨認。該檢查應在室內(nèi)正常照明下放大1倍~3倍進行。
3.4.2 封裝元件
作為來料檢查，在封裝裝配之前，對封裝元件或部分組裝的封裝殼體進行本試驗，或作為一種選擇性的質(zhì)量控
制在完成封裝之前進行本試驗，或作為一種要求的試驗（見4d）時，呈現(xiàn)下列現(xiàn)象的元件不得接收：
a） 腐蝕缺陷面積超過蓋板鍍涂面積或底金屬面積的1.0%，或超過除引線以外其他任何封裝零件（例如外殼）鍍
涂面積或底金屬面積的2.5%。器件制造完成后不會暴露于周圍環(huán)境的鍍涂或底金屬層上的腐蝕不必考慮。應根據(jù)
3.4.1a）程序進行本條檢查。
b） 其引線鍍涂根據(jù)3.4.1b）應被拒收的引線
4 說明
有關(guān)的訂購文件應規(guī)定以下內(nèi)容：
a） 試驗時間（若不是試驗條件A）（見3.2）
b） 試驗后的測量和檢查（除目檢外）（見3.4）
c） 預處理的要求（若需要）和程序（若不按3.1.2的規(guī)定）
d） 封裝元件的來料檢查或部分組裝的封裝殼體檢查的要求（見3.4.2）（需要時）。