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p-type Bi2Se3 crystals P型硒化鉍晶體 參考價(jià):面議
P-type electronically doped Bismuth Selenide (Bi?Se?) Developed at our facilitie...ReSe2 二硒化錸晶體 (Rhenium Diselenide) 參考價(jià):面議
Single crystal ReSe? (Rhenium diselenide) crystals are developed at our faciliti...WSSe 硒化硫鎢晶體 參考價(jià):面議
Our WSSe alloys with the chemical formula WS2xSe2(1-x) crystals perfectly crysta...ZrSe2 二硒化鋯晶體 參考價(jià):面議
ZrSe2 belongs to group-IV TMDCs family and adopts a stable 2H-hexagonal structur...TlGaSe2 參考價(jià):面議
The only commercially available TlGaSe2 vdW crystals have been synthesized at ou...PdSe2 crystals 二硒化鈀晶體 參考價(jià):面議
Bulk PdSe2 (palladium diselenide) has been predicted to exhivit 30 meV band gap ...ReSSe crystals 硒化硫錸晶體 參考價(jià):面議
Single crystal ReSxSe2(1-x) alloy rystals are developed at our facilities using ...Sb2Se3 硒化銻晶體 (Antimony selenide) 參考價(jià):面議
Antimony triselenide is the chemical compound with the formula Sb2Se3 which crys...ZrSe3 三硒化鋯晶體 參考價(jià):面議
Zirconium triselenide belongs to the group-IV transition metal trichalcogenides.TaSe2 二硒化鉭晶體 (Tantalum Diselenide) 參考價(jià):面議
Environmentally stable 2H-TaSe2 crystals have been synthesized at our facilities...TiSe2 二硒化鈦晶體 (Titanium Diselenide) 參考價(jià):面議
Our TiSe2 crystals are stabilized in 2H-phase (CDW metallic phase).氮摻雜石墨烯粉末 參考價(jià):面議
氮摻雜石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面積(平方米/克):500 ~ 700電導(dǎo)率(S/m)gt; 1000(...工業(yè)級(jí)石墨烯(10g) 參考價(jià):面議
工業(yè)級(jí)石墨烯 Industrial-Quality Graphene制備方法:熱剝離還原厚度(nm):≤3BET比表面積(平方米/克):~ 600電阻率(Ω?c...羧基化石墨烯 參考價(jià):面議
羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm羧基比例:5%純度:99%單層氧化石墨烯(H法/進(jìn)口) 參考價(jià):面議
單層氧化石墨烯(H法/進(jìn)口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)制備方法:改良的H法直徑:1~5um厚度:0.8~1....氧化石墨烯(S法/進(jìn)口)(S Method) 參考價(jià):面議
氧化石墨烯(S法/進(jìn)口) Graphene Oxide (S Method)制備方法:斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm比...硫化鎵晶體(百分之99.995) GaS 參考價(jià):面議
硫化鎵晶體 GaS(Gallium Sulfide)晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a = 0.360, b = 0.640 nm...氧化石墨烯(S法/進(jìn)口) 參考價(jià):面議
氧化石墨烯(S法/進(jìn)口) Graphene Oxide (S Method)制備方法:斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm比表...硫化鍺晶體(百分之99.995) GeS 參考價(jià):面議
硫化鍺晶體 GeS(Germanium Sulfide)晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu):斜方晶系晶胞參數(shù):a = 1.450, b = 0.364...二硫化鉿晶體(百分之99.995) HfS2 參考價(jià):面議
二硫化鉿晶體 HfS2 (Hafnium Disulfide)晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a = b = 0.363 nm, ...氧化石墨烯(美國(guó)) 參考價(jià):面議
Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our Ram...二硫化鉬晶體(天然/百分之99)MoS2 參考價(jià):面議
二硫化鉬晶體(天然) MoS2(Molybdenum Disulfide)晶體結(jié)構(gòu):六邊形類型:天然晶體尺寸:~10mm-20mm純度:gt;99%屬性:半導(dǎo)體羧基石墨烯 參考價(jià):面議
Carboxyl (-COOH) functionalized graphene has been developed at our facilities. C...二硫化鉬晶體MoS2-syn-N type 參考價(jià):面議
二硫化鉬晶體(2H-合成/99.995%/n 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能:N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)