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本文采用徠卡三離子束切割儀TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)制備IC芯片。
1號(hào)樣品
IC芯片大概長(zhǎng)20 mm，厚2 mm，樹(shù)脂包埋后直徑為32 mm，高度11 mm。樣品已經(jīng)用機(jī)械的方式拋光好，但是表面拋光得并不是很理想。
01采用TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)制備

不同于離子束切割方式，離子束拋光前需要對(duì)樣品進(jìn)行機(jī)械拋光，因?yàn)閮煞N方式材料去除深度是不一樣的，拋光要比切割去除深度淺。為了說(shuō)明拋光平臺(tái)的概念，沒(méi)有對(duì)這個(gè)樣品進(jìn)行額外的機(jī)械拋光。

02參數(shù)設(shè)置

旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)：
電壓為7 kv，角度為12度，工作時(shí)間為1個(gè)小時(shí)。

03結(jié)果

2號(hào)樣品
樣品尺寸為長(zhǎng)15 mm，厚3 mm。樣品客戶(hù)已經(jīng)做了機(jī)械拋光，但是表面拋光效果很差。（見(jiàn)下圖）

01采用TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)制備

離子束拋光相對(duì)于離子束切割方式，材料去除深度要淺，所以要求樣品表面要機(jī)械拋光好才行（在50倍的光學(xué)顯微鏡下看不見(jiàn)劃痕）。
這個(gè)樣品我們建議用徠卡精研一體機(jī)TXP做前處理，這樣整排bonding wire都會(huì)顯現(xiàn)，并且表面的拋光質(zhì)量也會(huì)高很多。

02參數(shù)設(shè)置

旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)：
電壓為8 kv，角度為12度，工作時(shí)間為1個(gè)小時(shí)。

03結(jié)果

由于之前機(jī)械拋光效果很差，所以需要采用8 kv的電壓拋光一個(gè)小時(shí)，通常情況是只需要20分鐘。金線（銅線）的去除量要比硅多，所以?xún)煞N材質(zhì)已經(jīng)不在同一平面上了（不同的聚焦面）。然而，下圖還是能很好地告訴我們經(jīng)過(guò)離子束拋光后表面的制備質(zhì)量得到了明顯的提高。


3號(hào)樣品
銅或者金的樣品尺寸為長(zhǎng)30 mm，厚10 mm，樹(shù)脂包埋直徑為38 mm，高度12 mm。(離子束拋光能接受的高度)。客戶(hù)已經(jīng)采用機(jī)械拋光好，樣品拋光得還行，但是有劃痕。

01采用TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)制備

樣品較大，包埋后直徑為38 mm。需要離子束拋光的面積大小為30 mmX10 mm。

02參數(shù)設(shè)置

旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)：
電壓為6 kv，角度為12度，工作時(shí)間為1個(gè)小時(shí)。

03結(jié)果

由于表面拋光效果還行，所以設(shè)置電壓低一些，只需要30分鐘即可。
總結(jié)

以下為客戶(hù)提供的樣品表面（左圖）與經(jīng)過(guò)離子束拋光后的表面（右圖）對(duì)比。

以上樣品很好地說(shuō)明了徠卡三離子束切割儀中旋轉(zhuǎn)拋光平臺(tái)的概念。即使遇到直徑達(dá)38 mm的樣品的時(shí)候，表面能處理的區(qū)域也能達(dá)到30 mm。離子束拋光程度如何取決于之前的機(jī)械拋光，因此建議在離子束拋光前的機(jī)械拋光盡量做得好一些，在50倍的光鏡下看不見(jiàn)劃痕為宜。


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