數(shù)字式四探針測試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測試儀 單晶硅物理測試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測儀 方塊電阻薄層電阻測試儀
型號ZD03-8
8型數(shù)字式四探針測試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測試儀 單晶硅物理測試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測儀 方塊電阻薄層電阻測試儀是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機(jī)、測試臺、四探針探頭、計算機(jī)等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計算機(jī)控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。
8型數(shù)字式四探針測試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測試儀 單晶硅物理測試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測儀 方塊電阻薄層電阻測試儀是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機(jī)、測試臺、四探針探頭、計算機(jī)等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計算機(jī)控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。
技 術(shù) 指 標(biāo)：
測量范圍電阻率：10-4～105Ω.cm(可擴(kuò)展)；
方塊電阻：10-3～106Ω/□(可擴(kuò)展)；
電導(dǎo)率：10-5～104s/cm；
電阻：10-4～105Ω；
可測晶片直徑140mmX150mm(配S-2A型測試臺)；
200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；
400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；
恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1%；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差
(按JJG508-87進(jìn)行)0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
整機(jī)測量zui大相對誤差(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤5%
計算機(jī)通訊接口并口
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境溫度：23±2℃；
相對濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強(qiáng)光直射；
