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Chembet Pulsar 全自動(dòng)程序升溫化學(xué)吸附儀

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美國(guó)康塔儀器公司推出Chembet Pulsar全自動(dòng)動(dòng)態(tài)化學(xué)吸附分析儀,Chembet Pulsar TPR/TPD代表了全自動(dòng)流動(dòng)法分析表征催化劑的*水平。新的Chembet ?Pulsar建筑于享譽(yù)世界的ChemBET之上,并結(jié)合了Autosorb-1C/TCD的全自動(dòng)性能。

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全自動(dòng)程序升溫化學(xué)吸附儀

美國(guó)康塔儀器公司推出Chembet Pulsar全自動(dòng)動(dòng)態(tài)化學(xué)吸附分析儀,Chembet Pulsar TPR/TPD代表了全自動(dòng)流動(dòng)法分析表征催化劑的水平。新的Chembet Pulsar建筑于享譽(yù)世界的ChemBET之上,并結(jié)合了Autosorb-1C/TCD的全自動(dòng)性能。

Chembet Pulsar全自動(dòng)動(dòng)態(tài)化學(xué)吸附分析儀的分析序列采用TPRWIn PC操作和應(yīng)用軟件進(jìn)行全自動(dòng)程序化控制。全自動(dòng)定量環(huán)注射器和自動(dòng)進(jìn)氣閥用于脈沖滴定法分析金屬面積和分散度測(cè)定。高溫爐溫度爬升既可用于程序升溫實(shí)驗(yàn),也可用于樣品制備。

Chembet Pulsar全自動(dòng)動(dòng)態(tài)化學(xué)吸附分析儀用于全面進(jìn)行催化劑特性研究,包括如下功能:

 

  • 程序升溫/還原/氧化(TPR/TPRA/TPO)
  • 程序升溫脫附(TPD)
  • 脈沖滴定
  • 物理吸附測(cè)定BET表面積和孔體積

 

 

主要特點(diǎn)

1、TPRWIn PC操作和應(yīng)用軟件全自動(dòng)程序化控制分析序列
2、全自動(dòng)定量環(huán)注射器和自動(dòng)進(jìn)氣閥用于脈沖滴定法分析金屬面積和分散度測(cè)定 
3、高溫爐溫度爬升既可用于程序升溫實(shí)驗(yàn),也可用于樣品制備
4、強(qiáng)制空氣高速流動(dòng)使高溫爐快速冷卻 
5、久經(jīng)檢驗(yàn)的TCD 檢測(cè)器,具有*的抗氧化和抗氨腐蝕的能力,穩(wěn)定的電流控制保證了基線穩(wěn)定性和重現(xiàn)性信號(hào) 
6、zui大化學(xué)兼容性的不銹鋼管路,適用于廣泛的氣體。 
7、標(biāo)準(zhǔn)高溫石英樣品池可內(nèi)置熱電偶,提供準(zhǔn)確的樣品溫度測(cè)量。

 

 

技術(shù)參數(shù)

 

1、樣品站數(shù): 2
2、滴定定量環(huán):: 自動(dòng) – 提供50, 100 和 250 µl 定量環(huán) (其它體積可選) 
3、氣體輸入口: 5個(gè)(標(biāo)配),6個(gè)(增加混合器選項(xiàng))
4、樣品管:: 高溫化學(xué)吸附U-形石英樣品管,傳統(tǒng)U-形石英管或硅化硼樣品管 (Pyrex®) 
5、樣品管旁路閥門: 有 
6、蒸汽冷阱: 有,(設(shè)于樣品管和檢測(cè)器之間,以去除雜質(zhì)氣) 
7、GC/質(zhì)譜連接方式: 3 種(a: 在樣品管后端; b: 在冷阱之后,檢測(cè)器之前; c: 在檢測(cè)器之后) 
8、體積: 從1x10-3 cm3 起 
9、比表面積:: 從0.01 m2/g 起
10、孔體積 1x10-4 cm3 起 
11、高溫爐zui高加熱溫度1100ºC 
12、加熱速率:

1ºC min-1 to 100oC min-1 (up to 500ºC) 
1ºC min-1 to 50ºC min-1 (up to 750ºC) 
1ºC min-1 to 30ºC min-1 (up to 1000ºC)                                      
1ºC min-1 to 20ºC min-1 (up to 1100ºC)
13、溫度準(zhǔn)確度: ±1 deg C
14、溫度重復(fù)性: ±1 deg C
15、高溫爐控制: 軟件全自動(dòng).
16、樣品熱電偶: 樣品管內(nèi)
17、強(qiáng)制風(fēng)冷系統(tǒng): 內(nèi)置
18、冷卻時(shí)間 : < 30 分鐘 


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