光源在不同波長(zhǎng)的輻射能量不同，探測(cè)器在不同波長(zhǎng)的響應(yīng)度也不同，因此，所測(cè)得的響應(yīng)電流也會(huì)有較大的不同。假設(shè)系統(tǒng)噪聲 N 不變，響應(yīng)電流 S 大時(shí)，系統(tǒng)信噪比（S N）大，不會(huì)影響測(cè)量精度，如果響應(yīng)電流很小，甚至小于系統(tǒng)噪聲

• 適用電池：單晶硅、多晶硅太陽(yáng)能電池；交流分析模式下的材料性能分析
  測(cè)試項(xiàng)目：光譜響應(yīng)，外量子效率，光譜透過率，光譜反射率（選配），內(nèi)量子效率（選配）、標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng) AM1.5G 照射下的短路電流密度、表面均勻度等。
   
  1）外量子效率測(cè)試： 利用太陽(yáng)電池光譜響應(yīng)的測(cè)量，可以得出太陽(yáng)電池的量子效率 η(λ)，
  2）光譜反射率測(cè)試：將單色儀輸出的單色光輸入積分球，分別將已知光譜漫反射率的標(biāo)準(zhǔn)白板和被測(cè)太陽(yáng)能電池放到積分球的一個(gè)開口處，測(cè)量積分球另一開口處的探測(cè)器的輸出光譜電流，通過比對(duì)得到光譜反射率曲線。
  3）光譜透過率測(cè)試：測(cè)試樣品室內(nèi)放入樣品和不放入樣品時(shí)標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器的光譜電流/電壓值，相比得到樣品的透過率，可以測(cè)量太陽(yáng)能電池的光譜透過率，也可以測(cè)量玻璃的光譜透過率
  4）內(nèi)量子效率測(cè)試：扣除反射率對(duì)外量子效率的影響部分就得到了內(nèi)量子效率。
   
  測(cè)試原理
  光源在不同波長(zhǎng)的輻射能量不同，探測(cè)器在不同波長(zhǎng)的響應(yīng)度也不同，因此，所測(cè)得的響應(yīng)電流也會(huì)有較大的不同。假設(shè)系統(tǒng)噪聲 N 不變，響應(yīng)電流 S 大時(shí)，系統(tǒng)信噪比（S/N）大，不會(huì)影響測(cè)量精度，如果響應(yīng)電流很小，甚至小于系統(tǒng)噪聲，使 S/N<1，此時(shí)測(cè)量的精度就會(huì)受到*影響。為解決這個(gè)問題，系統(tǒng)采用了相關(guān)檢測(cè)法，利用信號(hào)在時(shí)間上的相關(guān)性，把深埋于噪聲中的周期信號(hào)提取出來(lái)。具體做法是：將光源經(jīng)過斬波器調(diào)制成具有固定頻率（參考頻率）的周期信號(hào)，則探測(cè)器也輸出具有相同頻率的電信號(hào)，經(jīng)過鎖相放大器將含有參考頻率的電信號(hào)檢出，而其它頻率的信號(hào)（噪聲）則被抑制掉，從而提高了系統(tǒng)的信噪比，保證了測(cè)量準(zhǔn)確度。
  主要技術(shù)指標(biāo)：

  指標(biāo)	參數(shù)
  適用電池	單晶硅、多晶硅、半導(dǎo)體材料
  控制模式	軟件控制、全自動(dòng)掃描、自動(dòng)消除誤差、自動(dòng)扣除背景
  光譜范圍	200-1100nm
  掃描間隔	≥1nm連續(xù)可調(diào)
  光譜掃描	全自動(dòng)、連續(xù)
  測(cè)試結(jié)果重復(fù)性	<0.3%（短路電流）
  工作模式	交流模式AC、
  斬波頻率	5-1000Hz
  溫控臺(tái)：	溫控范圍5-40℃（±0.5℃），選配
  偏置光源	可選配2路
  單色儀	焦距300mm、150mm可選



 

•                                                       實(shí)測(cè)光譜響應(yīng)曲線
  
                                                            實(shí)測(cè)量子效率曲線