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GDAT-A 高頻介電常數(shù)介質損耗角測試儀

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高頻介電常數(shù)介質損耗角測試儀 讀數(shù)清晰,無須換算,操作簡便,特別適合電子元器件的質量分析,品質控制,科研生產(chǎn),也可用于高校的電子信息,電子通信,材料科學等專業(yè)作科研實驗儀器.

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高頻介電常數(shù)介質損耗角測試儀  產(chǎn)品特點:

數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件(裝入GDAT),實現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計算的微處理化,tanδ 測量結果的獲得無須繁瑣的人工處理,因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測量的同一性,是人工讀值和人工計算*的。

一個高品質因數(shù)(Q)的電感器是測量系統(tǒng)*的輔助工具,關乎測試的靈敏度和精度,在系統(tǒng)中它與平板電容(BH916)構成了基于串聯(lián)諧振的測試回路。本系統(tǒng)推薦的電感器為LKI-1電感組,共由9個高性能電感器組成,以適配不同的檢測頻率。

 優(yōu)化的測試電路設計使殘值更小

 高頻信號采用數(shù)碼調諧器和頻率鎖定技術

LED 數(shù)字讀出品質因數(shù),手動/自動量程切換

 自動掃描被測件諧振點,標頻單鍵設置和鎖定,大大提高測試速度

 

 

 

高頻介電常數(shù)介質損耗角測試儀 標準配置:

① 高配Q表 一只  

② 試驗電極  一只 (c類)

③ 電感      一套(9只)

④ 電源線    一條

⑤ 說明書    一份

⑥ 合格證    一份

⑦ 保修卡    一份

 

 

 

電氣絕緣材料的性能和用途

 1、電介質的用途

 電介質一般被用在兩個不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質

2、影響介電性能的因素

 下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。

2.1頻率

 因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內它們的 。r和 tans幾乎是恒定的,且被用作工程電介質材料,然而一般的電介質材料必須在所使用的頻率下測量其介質損耗因數(shù)和電容率。

 電容率和介質損耗因數(shù)的變化是由于介質極化和電導而產(chǎn)生,重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導致的界面極化所引起的.

2.2溫度

 損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個大值,這個頻率值與電介質材料的溫度有關。介質損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負的,這取決于在測量溫度下的介質損耗指數(shù)大值位置。

2.3濕度

 極化的程度隨水分的吸收量或電介質材料表面水膜的形成而增加,其結果使電容率、介質損耗因數(shù)和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進行控制是*的.

 注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在 1MHz以下及微波頻率范圍內

2.4電場強度

 存在界面極化時,自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加,其損耗指數(shù)大值的大小和位置也隨此而變。

 在較高的頻率下,只要電介質中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質損耗因數(shù)與電場強度無關

 

 

 

 

技術參數(shù):

 

1.Q值測量

a.Q值測量范圍:2~1023。

b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

c.標稱誤差

     頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):

     固有誤差:≤5%±滿度值的2% 固有誤差:≤6%±滿度值的2%

     工作誤差:≤7%±滿度值的2% 工作誤差:≤8%±滿度值的2%

2.電感測量范圍:4.5nH~7.9mH

3.電容測量:1~205

     主電容調節(jié)范圍:18~220pF

     準確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%

     注:大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明

4.  信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,

     CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,

5.Q合格指示預置功能:      預置范圍:5~1000。

6.B-測試儀正常工作條件

a.  環(huán)境溫度:0℃~+40℃;

b.相對濕度:<80%;

c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

7.其他

a.消耗功率:約25W;

b.凈重:約7kg;

c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

 

 

 

術 語 和定義適用于本標準。
3. 1
相對 電 容 率 relativep ermittivity
εr
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時,其電容 Cx與同樣電極構形的真空電容Co 之比:

       Cx

εr = ——  ----------(1)

       Co

式 中 :
εr  — 相對電容率;
CX  — 充有絕緣材料時電容器的電極電容;
Co  — 真空中電容器的電極電容。
在標準大氣壓下,不含二氧化碳的于燥空氣的相對電容率εr等于1.00053。因此,用這種電極構形在空氣中的電容Ca來代替Co測量相對電容率εr時,也有足夠的精確度。
在 一 個 測量系統(tǒng)中,絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率εr與真空電氣常數(shù)εo的乘積.
在 S I制 中,jue對電容率用法/米(F/m )表示。而且。在SI單位中,電氣常數(shù)εo為:
                         1

ε。=8. 854 X 10 12 F/m≈------ ×109 F/m    ----(2)

                        36π

在本標準中,用皮法和厘米來計算電容,真空電氣常數(shù)為:

εo= 0. 088 54 pF/cm

定義

介質損耗角dielectric loss angle

δ
由絕緣材料作為介質的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。

介質損耗因數(shù)  dielectric dissipation factor

tanδ損耗角δ的正切。

〔介質〕損耗指數(shù)
εr

該材料的損耗因數(shù)tanδ與相對電容率εr的乘積

復相對電容率complex relative permittivi

εr      由相對電容率和損耗指數(shù)結合而得到的:

εr    = ε'r  -  jεr              --------(3)

εr = εr     ----------(4)

εr = εr    ----------(5)

    εr

Tanδ = --      ----------(6)

    ε'r

式中:

εr --------  復相對電容率;

εr--------  損耗指數(shù);

ε'r、εr   -------- 相對電容率;

Tanδ ------介質損耗因數(shù)。
注 :有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路表示,或用電容Cp和電阻Rp(或電導G1, )的并聯(lián)電路表示

 

     ?。薄     。?sub>p

 Tanδ=-----?。健?--    ---------(7)

    ωCpRp                 ωCp

 

 Tanδ=ωCsRs            ----------(8)

式中:

Cs— 串聯(lián)電容;
Rs— 串聯(lián)電阻。

Cp ----- 并聯(lián)電容;

Rp ------并聯(lián)電阻。
雖然以并聯(lián)電路表示一個具有介質損耗的絕緣材料通常是合適的,但在單一頻率下,有時也需要以電容Cs和電阻Rs的串聯(lián)電路來表示。
串聯(lián)元件與并聯(lián)元件之間,成立下列關系:

       Cs

Cp = ---------------

     1+tan2δ  

      1+tan2δ

Rp =--------------- Rs

       Tan2δ

           1

ωCsRs = ------------

          ωCpRp

 

 

式(9)、 (10)、(11)中:Cs、Rs、Cp、Rp、tanδ同式(7)、(8)。
無論串聯(lián)表示法還是并聯(lián)表示法,其介質損耗因數(shù)tanδ是相等的.
假如測量電路依據(jù)串聯(lián)元件來產(chǎn)生結果,且tan'δ 太大而在式(9)中不能被忽略,則在計算電容率前必須先計算并聯(lián)電容。
本標準中的計算和側量是根據(jù)電流(ω=2πf)正弦波形作出的.

北京北廣精儀儀器設備有限公司

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