測厚儀采用電容式測量方法對硅片厚度進(jìn)行精密測量。為保證系統(tǒng)測量的津性，測試臺采用上下雙傳感器探頭進(jìn)行推拉式測量，該測量方法對設(shè)備測量平臺的平直度沒有任何要求，保證在硅片靜止、左右移動、上下移動時均能津測量。主機(jī)部分利用強(qiáng)大的控制軟件對采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行津計算和分析。

產(chǎn)品簡介：
測厚儀采用電容式測量方法對硅片厚度進(jìn)行精密測量。為保證系統(tǒng)測量的津性，測試臺采用上下雙傳感器探頭進(jìn)行推拉式測量，該測量方法對設(shè)備測量平臺的平直度沒有任何要求，保證在硅片靜止、左右移動、上下移動時均能津測量。主機(jī)部分利用強(qiáng)大的控制軟件對采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行津計算和分析。
硅片測厚儀主要特點：
非接觸測量，避免對硅片造成損傷。
采用高精密的電容探頭，保證測量數(shù)據(jù)的津性。
采用高性能采集卡保證數(shù)據(jù)采集的灣及穩(wěn)定性。
采用高性能主機(jī)配以強(qiáng)大的控制軟件對數(shù)據(jù)進(jìn)行津計算和分析。
硅片測厚儀主要參數(shù)：
厚度范圍：100～1600μm
厚度分辨率：0.1μm
厚度重復(fù)度：≤ 1μm
TTV范圍：0.00μm～300.00μm
TTV分辨率：0.1μm
TTV重復(fù)度：≤ 1μm
設(shè)備尺寸：360*300*75mm
使用環(huán)境溫度：10℃ 至 50℃
存儲環(huán)境溫度：-10℃ 至 75℃
電源電壓：220v
硅片規(guī)格：
方片：125x125mm、156x156mm ，圓片：3″、4″、5″、6″、8″
配置：測量主機(jī)、專業(yè)厚度測量軟件、厚度標(biāo)準(zhǔn)樣片