產(chǎn)品介紹
儀器簡介：
光刻機/紫外曝光機 (Mask Aligner)
原產(chǎn)國: 韓國，能做到圖形化藍寶石襯底（PSS）光刻機，高性價比
型號：KCMA-100；
又名：掩模對準曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)，光刻機，紫外曝光機等；
ECOPIA為*的半導體設備供應商，多年來致力于掩模對準光刻機和勻膠機研發(fā)與生產(chǎn)，并且廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米科技領域；該公司是目前世界上早將光刻機商品化的公司之一，擁有雄厚的技術研發(fā)力量和設備生產(chǎn)能力；并且其設備被眾多*企業(yè)、研發(fā)中心、研究所和高校所采用；以不錯的技術、*的工藝和良好的服務，贏得了用戶的青睞。
感謝南開大學，中科院半導體所,中科院長春應化所，中科院物理所，浙江師范大學使用此設備做課題研究！！
此型號光刻機是所有進口設備中性能價格比高的型號，達到歐美品牌的對準精度，CCD顯示屏對準更為方便，液晶觸摸屏操作，采用歐司朗紫外燈，壽命長。整機效果皮實耐用，正常使用3年內(nèi)不會出問題！！
目前，上海藍光已采用該公司全自動型光刻機做LED量化生產(chǎn)，證明其品質(zhì)達到LED產(chǎn)業(yè)標準要求??！而且已經(jīng)成功提供圖形化藍寶石襯底（PSS）光刻工藝設備.
技術參數(shù)：
- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；
- 光束均勻性：<±3%；
- 曝光時間可調(diào)范圍：0.1 to 999.9秒；
- 對準精度：0.6-1微米
- 分辨率：1微米；
- 光束輸出強度：15-25mW/cm2；
項目 技術規(guī)格
曝光系統(tǒng)(Exposure System)
MDA-400M型 光源功率 350W UV Exposure Light source with Power supply
分辨率 - Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )
- Hard Contact : 1um
- Soft contact : 2um
- 20um Proximity: 5um
大光束尺寸 4.25×4.25 inch
光束均勻性 ≤ ±3% (4inch standard)
光束強度 15~20mW/cm2 (365nm Intensity)
曝光時間可調(diào)整 0.1 to 999.9 sec
對準系統(tǒng)(Alignment System) 對準精度 1um
對準間隙 手動調(diào)節(jié)(數(shù)字顯示)
光刻模式 真空, 硬接觸, 軟接觸，漸進（Proximity）
卡盤水平調(diào)節(jié) 楔形錯誤補償Wedge Error Compensation
真空卡盤移動 X, Y: 10 mm, Theta: ±5°
Z向移動范圍 10mm
接近調(diào)整步幅 1um
樣品(Sample) 基底 Substrate 2, 3, 4 inch
掩模板尺寸 4 and 5 inch
Utilities 真空 Vacuum < -200 mbar (系統(tǒng)包含真空泵)
壓縮空氣 CDA > 5Kg/cm2
氮氣 N2 >3Kg/cm2
電源 Electricity 220V, 15A, 1Phase
顯微鏡及顯示器
CCD and Monitor Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;
光刻機 / 紫外曝光機 (Mask Aligner)的主要特點：
- 光源強度可控；
- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；
- 系統(tǒng)控制：手動、半自動和全自動控制；
- 曝光模式：真空接觸模式(接觸力可調(diào)),Proximity接近模式, 投影模式；
- 真空吸盤范圍可調(diào)；
- 技術：可雙面對準，可雙面光刻，具有IR和CCD模式
- 兩個CCD顯微鏡系統(tǒng)，大放大1000倍，顯示屏直接調(diào)節(jié)，比傳統(tǒng)目鏡對準更方便快捷，易于操作。
- 特殊的基底卡盤可定做；
- 具有楔形補償功能；
