我們提供了一套完整的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（MOCVD），主要產(chǎn)品包括臺(tái)式研發(fā)型、中試型和生產(chǎn)型。其反應(yīng)器的設(shè)計(jì)可以根據(jù)工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產(chǎn)的需要。我們也能為客戶設(shè)計(jì)以滿足客戶特殊工藝和應(yīng)用的需要。系統(tǒng)部件包括：反應(yīng)器、氣體傳輸系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng)。
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（MOCVD）應(yīng)用方向：氧化物、氮化物、碳化物、硫族（元素）化物、半導(dǎo)體等
提供適用不同材料研究需要的反應(yīng)器：
透明導(dǎo)體氧化物（TCO）應(yīng)用于LCD、太陽(yáng)能電池、透明加熱器、電極、LED、OLED等方面包括：P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD系統(tǒng)
MEMS & MOEMs包括：PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2，SiO2，PbMgO, CMO，Ta2O5等MOCVD系統(tǒng)
儲(chǔ)存器 (DRAM & NVRAM)介電/鈍化材料應(yīng)用于柵極、介電層、鐵電、高頻設(shè)備、鈍化、保護(hù)層等，包括：BST，PZT, SBT, CMO, BLT，Hf(Si)O, Ta2O5,，Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD系統(tǒng)
波導(dǎo), 光電, WDMs. MOEMS 等材料，包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系統(tǒng)
其他材料如：超導(dǎo)、氮化物、氧化物、磁性材料、包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系統(tǒng)
金屬及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...
半導(dǎo)體: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...
氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...
高介電材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...
鐵電材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…
超導(dǎo)材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …
壓電材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性鈦酸鉛...
金屬:Pt, Cu,...
巨磁阻材料...
熱涂層, 阻擋層, 機(jī)械涂層, 光學(xué)材料...
我們提供了從桌面型反應(yīng)器（針對(duì)研究和提高的需要）到自動(dòng)化生產(chǎn)系統(tǒng)。出于材料變化種類的適應(yīng)性和經(jīng)濟(jì)價(jià)格的考慮，對(duì)任何研究人員來(lái)說(shuō)桌面型反應(yīng)器是合適的選擇，而且也極容易升級(jí)為量產(chǎn)型。
科研型MOCVD設(shè)備，包含液體直接注入ALD工藝，同一腔室完成沉積和退火。
-更低的設(shè)備及使用成本、更少的前驅(qū)體源使用、更小的腔體尺寸、跟高的薄膜沉積品質(zhì)！
-非常適合高校及研究所科研使用！
儀器參數(shù)：
1/ 1~4英寸MOCVD系統(tǒng)；
2/ 專為滿足科研單位需求而設(shè)計(jì)；
3/ MOCVD系統(tǒng)可在不同基底上，以MOCVD方式，在固體、液體有機(jī)金屬基源上沉積氧化物、氮化物、金屬、III-V 和 II-VI膜層；
4/ MOCVD配有前驅(qū)體直接處理單元，可在大范圍內(nèi)使用MO源，用于外延材料的研發(fā)和制備；
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)在線退火工藝；
性能及特點(diǎn)：
1， 溫度范圍: 室溫至1200°C ；
2， 帶質(zhì)量流量控制器的氣體混合性能；
3， 真空范圍: ~ 10-3 Torr，可選配高真空；
4， 選配手套箱；
5， 已被客戶廣泛接受
6， 堅(jiān)固耐用
7， 可靠性高
8， 良好的可重復(fù)性
9， 經(jīng)濟(jì)適用
