芯片研發(fā)高低溫一體試驗(yàn)箱
溫度范圍：150℃~ -20℃；150℃~ -40℃；150℃~ -70℃
降溫速率：1℃/min或3℃/min
升溫速率：1℃/min或3.7℃/min
產(chǎn)品特點(diǎn)：
種類齊全、產(chǎn)品線豐富
快速溫變試驗(yàn)箱有150L到1000L規(guī)格可供選擇?？焖贉囟确秶?℃/分、10℃/分、15℃/分以及20℃分等可供選擇。同等性能的機(jī)型中占地面積小。能滿足通用試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。
美觀大方的外觀、精致靈巧的控制器不銹鋼內(nèi)外膽、易維護(hù)壽命長。獨(dú)自開發(fā)的控制器、使用方便、易拆卸易運(yùn)輸。豐富實(shí)用的配件與選購件鋁制冷凝交換器、渦旋式壓縮機(jī)、固態(tài)靜電傳感器、低濕度范圍保證了小噪音等項(xiàng)可靠性功能。
生產(chǎn)的可靠性
我司通過了ISO9001以及環(huán)境質(zhì)量體系14000的體系認(rèn)證，并建立了一套完整的針對于環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)的質(zhì)量管理和控制體系。對于每臺產(chǎn)品出廠均會經(jīng)過嚴(yán)格的檢驗(yàn)測試程序，并對各個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行嚴(yán)格的調(diào)試和測試，出廠前均會進(jìn)行*試驗(yàn)，保證每臺產(chǎn)品到達(dá)用戶現(xiàn)場*。
滿足試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
GJB 150.3高溫試驗(yàn)
GJB 150.4低溫試驗(yàn)
IEC68-2-1 試驗(yàn)A：寒冷
IEC68-2-2 試驗(yàn)B：干熱
GB 11158《高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》
GB10586-1《濕熱試驗(yàn)箱技術(shù)條件》
GB/T 2423.2《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法》
GB/T 2423.3《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ca：恒定濕熱試驗(yàn)方法》
等……
芯片研發(fā)高低溫一體試驗(yàn)箱
滿足試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)： GB10589-2008《低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》
GB11158-2008《高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》
GB10592-2008《高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》
GB2423.1-2008《電工電子產(chǎn)品基本試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法》
GB2423.2-2008《電工電子產(chǎn)品基本試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法》
GB2423.4-2008《電工電子產(chǎn)品基本試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Db:交變試驗(yàn)方法》
GB2424.1-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程高溫低溫試驗(yàn)導(dǎo)則》
GB2423.22-2008《電工電子產(chǎn)品基本試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)N:溫度變化試驗(yàn)方法》
GB/T5170.2-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法溫度試驗(yàn)設(shè)備》
GB2423.3－2008試驗(yàn)C《恒定濕熱試驗(yàn)方法》;
GB2423.4－93試驗(yàn)D《交變濕熱試驗(yàn)方法》 |
箱體結(jié)構(gòu)
1 整個(gè)箱體采用整體結(jié)構(gòu)
2 箱體內(nèi)側(cè)采用1.0mm進(jìn)口SUS304B不銹鋼板，外側(cè)采用1.0mm 冷軋鋼板噴塑，保溫材料采用超細(xì)玻璃保溫棉。
3 大門密封采用雙層硅橡膠密封材料。
4 在箱體側(cè)面設(shè)有帶塞子的φ50mm測試孔，塞子材料為硅橡膠低發(fā)泡，能耐高低溫，兼具保溫效能。
5在箱體工作室后側(cè)設(shè)置有一個(gè)空氣調(diào)節(jié)柜，在其間安裝 加濕器、蒸發(fā)器、電加熱器、風(fēng)機(jī)、風(fēng)機(jī)蝸殼等設(shè)備。
6 溫度傳感器置于出風(fēng)口。
7試驗(yàn)箱內(nèi)的送風(fēng)方式為上送風(fēng)下回風(fēng)方式制冷系統(tǒng)
