日本napson緊湊易操作手動(dòng)非接觸式電阻儀
一種簡單的測量儀器，只需在探針之間插入樣品即可進(jìn)行測量
在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
*由于探頭是固定的，因此您可以在購買前從幾種類型的探頭中選擇一種。

日本napson緊湊易操作手動(dòng)非接觸式電阻儀

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[抗頁電阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總范圍）

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[抗頁電阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總范圍）

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

日本napson緊湊易操作手動(dòng)非接觸式電阻儀