TF ANALYZER 2000E是一款擴(kuò)展性*的模塊化鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測(cè)試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。
模塊化設(shè)計(jì)的TF Analyzer 2000 E具有優(yōu)異的擴(kuò)展性。
FE模塊-鐵電標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試；
MR模塊-磁阻和鐵性材料測(cè)試；
RX模塊-弛豫電流測(cè)試；
DR模塊-自放電測(cè)試。
鐵電壓電分析儀測(cè)試基本單元：包括內(nèi)置完整的計(jì)算機(jī)主機(jī)和測(cè)試版路、運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)處理單元等，Windows 7 操作系統(tǒng)、鐵電分析儀測(cè)試軟件等。
FE模塊標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試功能：
Dynamic Hysteresis 動(dòng)態(tài)電滯回線測(cè)試頻率（標(biāo)準(zhǔn)FE模塊0.001Hz~5kHz）；
Static Hysterestic 靜態(tài)電滯回線測(cè)試；
PUND 脈沖測(cè)試；
Fatigue 疲勞測(cè)試；
Retention 保持力；
Imprint 印跡；
Leakage current漏電流測(cè)試；
Thermo Measurement 變溫測(cè)試功能。
FE模塊可選測(cè)試功能：
C-V curve電容-電壓曲線；
Piezo Measurement壓電性能測(cè)試；
Pyroelectric Measurement熱釋電性能測(cè)試；
In-situ Compensation 原位補(bǔ)償；
DLCC 動(dòng)態(tài)漏電流補(bǔ)償功能。
技術(shù)說(shuō)明：
電壓范圍： +/- 25 V（可選的附加高壓放大器可擴(kuò)展至+/- 10KV）；
電滯頻率：5 kHz（標(biāo)準(zhǔn)FE模塊）；
小脈沖寬度：2 μs；
小上升時(shí)間：1 μs；
電流放大范圍：1pA～1A；
大負(fù)荷電容：1μF；
輸出電流峰值：+/-1 A。
可擴(kuò)展部件：
高壓放大器、激光干涉儀、AFM、溫度控制器、薄膜探針冷熱臺(tái)、變溫塊體樣品盒、塊體變溫爐、薄膜e31測(cè)試平臺(tái)、超導(dǎo)磁體、PPMS等。
MR模塊是用來(lái)研究磁阻和鐵性材料的。
此模塊提供連續(xù)電流激勵(lì)和測(cè)試，樣品上的電壓降通過(guò)四點(diǎn)測(cè)試。
RX模塊是用來(lái)研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的，即施加電壓階躍后的電流響應(yīng)。
該測(cè)試能將材料的馳豫電流和漏電流分開，并可記錄極化響應(yīng)電流和去極化響應(yīng)電流。
DR模塊用于研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況，因此通過(guò)這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。
針對(duì)工業(yè)方面的應(yīng)用，TF Analyzer 2000E提供了256個(gè)自動(dòng)測(cè)試的通道，大大擴(kuò)展了該儀器的測(cè)試功能。
以上所有的模塊可根據(jù)您的測(cè)試需求以及科研方向進(jìn)行獨(dú)立選擇或者任意組合。
