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化鎵（碲摻雜）晶體（99.995%） GaTeI
化鎵（碲摻雜）晶體（99.995%） GaTeI
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料新層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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晶體類型：合成
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