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膜厚測定裝置 UTS-2000

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膜厚測量裝置UTS-2000
概要
膜厚測定裝置UTS-2000采用的分光分析技術(shù),可以非接觸,非破壞高速而且高精度的測量基板膜,基板厚,雕刻殘余等的膜厚。 另外,使用標配的自動樣品臺可以分析電子元件內(nèi)的膜厚分布。另外,有豐富的配件,測量擴散層之類的基板和膜界面不明朗膜厚的波長擴張組件,測量Si中雜質(zhì)輕元素含量的透過測量系統(tǒng),分析濃度的數(shù)據(jù)解析軟件等,也可以對應(yīng)膜厚測量之外的測量。另外,可以與自動搬送裝置組合,對應(yīng)產(chǎn)品研發(fā)到評價廣泛的需求。
特征
?可測量0.25~750μm的測量大范圍的膜厚(基板厚)
?采用高精度干渉計和高通量光學系統(tǒng)、可測量高準確度的膜厚數(shù)據(jù)。
?測量膜厚的必須條件?映射?膜厚計算的個條件可以作為菜單登陸管理
?可長波長擴張??蓪?yīng)除去大氣噪音的真空裝置
?可測量Si 中的雜質(zhì)輕元素、以及電子元件的透過測量
?對應(yīng)自動搬送裝置(配件)


測量原理
膜厚測量裝置通過解析紅外區(qū)域的干涉光譜,非破壞?非接觸、高速而且高準確度計測膜厚。 通過計測可得到膜厚的周期干涉光譜。 干涉光譜由日本分光*的周波數(shù)解析法轉(zhuǎn)變?yōu)?的公式通過峰值高準確度的算出膜厚。

計測再現(xiàn)性
下圖表示硅晶膜反復(fù)計測結(jié)果。反復(fù)計測10次的值如下、±0.001μm以下、 膜厚測量裝置具有很高的計測再現(xiàn)性。

測量回數(shù) 計測値 [μm] 殘差 [μm]
第1回 4.9001 -0.0013
第2回 4.9014 0.0000
第3回 4.9010 -0.0004
第4回 4.9019 0.0005
第5回 4.9015 0.0001
第6回 4.9018 0.0004
第7回 4.9011 -0.0003
第8回 4.9014 0.0000
第9回 4.9017 0.0003
第10回 4.9021 0.0007
平均値:4.9014 [μm]
標準偏差:0.0006 [μm]


膜厚計測程序
搭載了用戶可以簡單測量的程序。(如下圖)







規(guī)格
UTS-2000
機種 UTS-2000
測量方式 FT/IR 干渉膜厚測量法
測量配置 反射、透過(選配)
樣品尺寸 20 × 20 ~ 1200 × 1200μm
顯示器 內(nèi)置CMOS相機確認測量位置
 ●測量范圍/精度
測量膜厚范圍 0.25μm~750μm(Siの場合)
測量膜厚再現(xiàn)性 0.005μm以下 (同一點繰返し測定時、Si の場合)
 ●XY樣品臺
距離 200mm×200mm
驅(qū)動分辨率 2μm
 ●數(shù)據(jù)處理部
對應(yīng)OS Windows 7 Professional
控制裝置 JASCO光學管理器控制光學系統(tǒng)/控制XY樣品臺/控制搬送機(選配)



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