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等離子開(kāi)封及化學(xué)開(kāi)封設(shè)備

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公司名稱 香港電子器材有限公司
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更新時(shí)間 2021/3/2 20:27:49
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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開(kāi)模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開(kāi)模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴。

詳細(xì)信息在線詢價(jià)

等離子開(kāi)封及自動(dòng)塑封開(kāi)封設(shè)備

Nisene 是一家專業(yè)從事失效分析開(kāi)封設(shè)備的美國(guó)公司，有著三十多年自動(dòng)開(kāi)封研發(fā)制造歷史。作為自動(dòng)塑封開(kāi)封技術(shù)的世界，Nisene 提供全面的產(chǎn)品，方法和技術(shù)支持來(lái)滿足所有半導(dǎo)體器件的開(kāi)封要求。公司不斷提供創(chuàng)新的，高質(zhì)量的產(chǎn)品來(lái)滿足不斷變化的半導(dǎo)體器件失效性分析領(lǐng)域內(nèi)的需求。

Nisene取得三項(xiàng)!

Nisene在三種不同開(kāi)封設(shè)備產(chǎn)品/制程中取得三項(xiàng), 包含:

CuProtect Process - U.S. Patent 8,945,343 B2 - Decapsulation with an applied voltage.
TotalProtect Process - U.S. Patent 9,543,173 B2 - Decapsulation with an applied voltage and cooling system.
PlasmaEtch Process - U.S. Patent 9,548,227 B2 - Microwave - induced plasma using plasma discharge tube.

JetEtch Pro 開(kāi)封機(jī)

Nisene新型 JetEtch Pro 開(kāi)封機(jī)秉持著對(duì)半導(dǎo)體去除處理的一貫的承諾，為符合現(xiàn)在直至將來(lái)失效分析專業(yè)需求而提供的高質(zhì)量設(shè)備產(chǎn)品。

JetEtch Pro 系統(tǒng)通過(guò)用酸腐蝕芯片表面覆蓋的塑料能夠暴露出任何一種塑料IC封裝內(nèi)的芯片。去除塑料的過(guò)程又快又安全，并且產(chǎn)生干凈無(wú)腐蝕的芯片表面。整個(gè)腐蝕過(guò)程是在一定壓力下的惰性氣體中完成的，不但能降低金屬氧化而且降低了產(chǎn)生的廢氣。這套系統(tǒng)被設(shè)計(jì)成在極少培訓(xùn)的條件下安全并易于使用。其優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在: