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Beam Analyzer Touch

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公司名稱(chēng) 頂尖科儀（中國(guó)）股份有限公司
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更新時(shí)間 2021/3/19 19:54:50
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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開(kāi)模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開(kāi)模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴。

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l 12 bit A/D

l 同時(shí)高分辨率采樣所有模式

l 實(shí)時(shí)檢測(cè)光束質(zhì)量、尺寸和高斯擬合

l 實(shí)時(shí)顯示光束2D/3D圖像

l 測(cè)量光束的中心、橢圓度和功率

l Excel數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，RS232或TCP/IP數(shù)據(jù)傳輸

l 觸摸屏顯示

主要參數(shù)：

傳感器類(lèi)型		Si UV-Si IR IRE
光譜范圍	Si UV-Si IR IRE	350-1100nm 190-1100nm 800-1800nm 1200-2700nm
刀片數(shù)		3（BA3頭） 7（BA7頭）
光束尺寸范圍	BA3-Si和BA3-UV BA7-Si和BA7-UV(橢圓形) BA7-Si和BA7-UV（圓形） BA3-IR3和BA3-IR3-E BA7-IR3和BA7-IR3-E BA3-IR5 BA7-IR5	3µm-5mm 15µm-10mm 15µm-9mm 3µm-3mm 15µm-3mm 3µm-5mm 15µm-5mm
光束寬度分辨率	>100µm <100µm	1µm 0.1µm
光束寬度精確度		±2%
功率范圍	Si和UV-Si探頭 InGaAs探頭	10µW-1W(有衰減片) 10µW-5mW(無(wú)衰減片)
功率精確度	Si和UV-Si探頭 InGaAs探頭	±5% ±10%
功率分辨率		0.1µW
位置精確度		±15µm
位置分辨率		1µm
飽和度	Si和UV-Si探頭	0.1W/cm²(無(wú)衰減片)，20W/cm²(NG9)
測(cè)量速率		5Hz
溫度		0℃-35℃
PC接口		USB2.0（PCI可選）