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伯東公司供應(yīng)射頻離子源 RFICP 140

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上海伯東代理美國(guó) 進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中,射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn) 的薄膜特性.

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KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國(guó) 進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中,射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn) 薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最 的離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 就標(biāo)準(zhǔn)的型號(hào)而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 范圍內(nèi)獲得很高的離子密度. 可以輸出最da600 mA 離子流

KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

RFICP 140

Discharge 陽(yáng)極

RF 射頻

離子束流

最da 600 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

14 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

5-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

24.6 cm

直徑

24.6 cm

中和器

LFN 2000

KRI 射頻離子源 RFICP 140 應(yīng)用領(lǐng)域:
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng) . 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 射頻離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生                           中國(guó)臺(tái)灣伯東: 王小姐



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