伯東公司是美國(guó)考夫曼公司 Kuafman & Robinson,Inc（KRI) 中國(guó)總代理. KRI 考夫曼公司是由離子源發(fā)明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士于 1978年在美國(guó)創(chuàng)立. KRI 考夫曼離子源歷經(jīng) 30 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng) , 受到各領(lǐng)域的肯定.
KRI 離子源離子槍系列產(chǎn)品融合一系列等離子技術(shù),提供 的操作與運(yùn)行方式。KRI 離子源主要分為以下幾類：
無(wú)柵式端部霍爾離子源 eh
eH 系列離子源離子槍可輸出高離子流和低能源束。離子流達(dá)到高速運(yùn)行需求的同時(shí)低能源束能夠減少對(duì)設(shè)備外表面與內(nèi)表面的傷害。
有柵極射頻感應(yīng)耦合等離子體離子源 RFICP
RFICP 系列離子源可以在無(wú)燈絲的情況下提供高密度離子流.從離子流中提取的離子束能夠被精確的控制以便提供設(shè)定的形狀,電流密度以及離子能。
有柵極離子源 KDC
KDC 系列離子源離子槍是根據(jù)典型的考夫曼離子源加強(qiáng)設(shè)計(jì)的。傳統(tǒng)的離子源工藝使其能夠輸出高質(zhì)、穩(wěn)定的離子束。
電源與控制器
我們的電源與控制器操作不同種類的離子、等離子以及電子源。這些產(chǎn)品能夠?yàn)榈入x子流程中的動(dòng)荷作用輸出平穩(wěn)、連續(xù)的電源。
電子源與離子源離子槍中和器
這些電子源低能量、高電流源。它們一般應(yīng)用于中和劑或陰極材料，以便控制離子源與等離子源的產(chǎn)量。
PTIBEAMTM 離子透鏡
我們的離子束源采用耐融金屬或石墨的多孔徑網(wǎng)格。這些網(wǎng)格或是平的，或是中凹的，它們與多孔模式一同控制離子軌跡。離子軌跡的聚集產(chǎn)生了離子束，離子電流的分布塑造了該離子束的形狀特征。
KRI 考夫曼離子源 EH1010F , EH1020F …系列廣泛用于鍍膜之前處理 (ISSP) 及離子輔助鍍膜 (IBAD)且有助于提高光學(xué)成膜之沉淀速率, 附著度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等. KRI 考夫曼離子源 整體設(shè)計(jì)低耗材, 安裝簡(jiǎn)易, 維護(hù)簡(jiǎn)單廣泛應(yīng)用在生產(chǎn)企業(yè)和科研單位
KRI 考夫曼離子源 EH1010F, EH1020F, EH3050F, EH5050F…系列, 目前被廣泛應(yīng)用于 AR, IR, 分光鏡, 光學(xué)蒸鍍鍍膜制程, 多層膜光學(xué)鍍膜制程, 低溫度膜制, PVD 制程, 材料分析等等…
KRI 考夫曼離子源 EH1020F 蒸鍍制程設(shè)備應(yīng)用
KRI 考夫曼離子源 EH1020F controller
KRI 考夫曼離子源 HOLLOW CATHODE 系列 EH200HC, EH400HC, EH1000HC, EH2000HC … 系列不僅廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)單位, 且因離子抨擊能量強(qiáng), 蝕刻效率快, 可因應(yīng)多種基材特性, 單次使用長(zhǎng)久, 耗材成本極低, 操作簡(jiǎn)易, 安裝簡(jiǎn)易, 所以目前廣泛應(yīng)用于許多蝕刻制程及基板前處理制程.
EH400HC Etching application ( ion source body )
KRI ion source controller
EH400HC Etching application ( ion source igniting )
FeSeTe etching application ( 110V/1.5A etching rate >20 A/Sec )
PCCO Etching application (110V/1.5A etching rate >17A/Sec )
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