牛津儀器 電子背散射衍射（EBSD）探測(cè)器C-Swift是CMOS探測(cè)器家族的新成員，專(zhuān)為常規(guī)材料分析和快速樣品表征而設(shè)計(jì)。C-Swift繼承了Symmetry的許多優(yōu)點(diǎn)，包括為EBSD專(zhuān)門(mén)定制CMOS傳感器。這些優(yōu)點(diǎn)使得C-Swift也成為一種開(kāi)創(chuàng)性的EBSD探測(cè)器。
牛津儀器 電子背散射衍射（EBSD）探測(cè)器C-Swift是一個(gè)先進(jìn)、高速EBSD探測(cè)器。與Symmetry探測(cè)器一樣，C-Swift使用定制的CMOS傳感器來(lái)實(shí)現(xiàn)高速和高靈敏度，以確保即使在更具挑戰(zhàn)性的材料上也能獲得高質(zhì)量的結(jié)果。
C-Swift速度為1000pps，同時(shí)可獲得高質(zhì)量的花樣分辨率(156x128像素）。這相當(dāng)于基于CCD的探測(cè)器以相似速度運(yùn)行時(shí)所采集花樣像素?cái)?shù)的4倍，確保所有類(lèi)型樣品的可靠標(biāo)定和高。無(wú)失真光學(xué)系統(tǒng)與AZtec軟件中強(qiáng)大的標(biāo)定算法結(jié)合，使C-Swift能夠提供優(yōu)于0.05°的高角度精度。對(duì)于需要更高質(zhì)量花樣的應(yīng)用, C-Swift可以以高達(dá)250pps的速度采集622x512像素的花樣，使其成為復(fù)雜的多相樣品和精細(xì)的相分析的理想選擇。
這是專(zhuān)為快速、有效的樣品表征而設(shè)計(jì)的探測(cè)器。系統(tǒng)的每個(gè)組件，從接近傳感器到可選的集成前置探測(cè)器，都經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì), 旨在更大限度地提高性能和易用性, 并使EBSD成為每個(gè)實(shí)驗(yàn)室的標(biāo)準(zhǔn)工具。
牛津儀器 電子背散射衍射（EBSD）探測(cè)器C-Swift特點(diǎn)
當(dāng)速度是關(guān)鍵時(shí)，C-Swift探測(cè)器達(dá)到了一個(gè)新標(biāo)準(zhǔn)：
- 僅需要12nA的電子束流，就能保證1000pps的標(biāo)定速度
- 速度下的156x128像素的花樣分辨率——同等速度下快速CCD探測(cè)器的4倍
- 全分辨率花樣（622x512像素）——精細(xì)的相分析和形變分析的理想選擇
- 低失真光學(xué)系統(tǒng), 確保角度精度優(yōu)于0.05°
- 優(yōu)化的高靈敏度熒光屏, 確保低劑量和低束流能量下的高質(zhì)量的花樣——實(shí)現(xiàn)的空間分辨率
- 即使在速度下也能實(shí)現(xiàn)無(wú)縫的EDS集成
- 波紋管SEM接口，保持SEM真空完整性
- *的接近傳感器——在可能發(fā)生的碰撞發(fā)生之前自動(dòng)將探測(cè)器移動(dòng)到安全位置
- 簡(jiǎn)單直觀的探測(cè)器設(shè)置，確保每次都能獲得良好的效果
- 五個(gè)集成的前置探測(cè)器, 提供全彩色通道襯度圖像和原子序數(shù)襯度圖像
電子背散射衍射（EBSD）是一種基于掃描電子顯微鏡（SEM)），提供樣品顯微結(jié)構(gòu)晶體學(xué)信息的技術(shù)。在EBSD中，電子束與傾斜的晶態(tài)樣品相互作用，形成衍射花樣。衍射花樣可以通過(guò)熒光屏探測(cè)到，它具有所產(chǎn)生處樣品的晶體結(jié)構(gòu)和取向特征。因此，衍射花樣可用來(lái)確定晶體結(jié)構(gòu)及取向、區(qū)分晶體上不同的相、表征晶界、和提供有關(guān)局部結(jié)晶完整性的信息。
EBSD已成為SEM中的一個(gè)出色的附件，常用來(lái)提供晶體學(xué)信息。EBSD廣泛地應(yīng)用于許多不同的領(lǐng)域，以幫助材料表征，如下表所示。
AZtec EBSD系統(tǒng)結(jié)合了EBSD（ Symmetry ）的速度和靈敏度以及 AZtecHKL軟件出色的分析性能，為電子背散射衍射（EBSD）和透射菊池衍射（TKD）分析提供了一種功能強(qiáng)大、用途廣泛的工具。
| 行業(yè) | 材料 | 典型的EBSD測(cè)量 |
| 金屬研究和加工 | 金屬，合金 | 晶粒尺寸 |
| 航天 | 金屬間化合物 | 晶界表征 |
| 汽車(chē) | 夾雜物/沉淀物/第二相 | 體織構(gòu) |
| 核能 | 陶瓷 | 局部織構(gòu) |
| 微電子 | 薄膜 | CSL晶界表征 |
| 地球科學(xué) | 太陽(yáng)能電池 | 再結(jié)晶或形變率 |
| 科研領(lǐng)域 | 地質(zhì) | 亞結(jié)構(gòu)分析 |
| | 半導(dǎo)體 | 相鑒定 |
| | 超導(dǎo)體 | 相分?jǐn)?shù)和相分布 |
| | 冰 | 相變 |
| | 金屬和陶瓷復(fù)合材料 | 斷口分析 |
| | 骨頭，牙齒 | 晶粒和相間的取向與取向差關(guān)系 |
