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牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas

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牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas平臺旨在提供深硅蝕刻(DSiE)領域的的靈活性以滿足微電子機械系統(tǒng)(MEMS)、 先進封裝以及納米技術(shù)市場的各種工藝要求。考慮到研究和生產(chǎn)的市場發(fā)展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性...

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牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas平臺旨在提供深硅蝕刻(DSiE)領域的的靈活性以滿足微電子機械系統(tǒng)(MEMS)、 先進封裝以及納米技術(shù)市場的各種工藝要求??紤]到研究和生產(chǎn)的市場發(fā)展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。

  • 光滑側(cè)壁工藝

  • 高刻蝕速率腔刻蝕

  • 高深寬比工藝

  • 錐形通孔刻蝕

  • 廣泛的應用領域

  • 機械或靜電壓盤

  • 加熱內(nèi)襯          

  • 改善重復性

  • 延長了兩次清洗間的平均時間間隔(MTBC)


牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas特征

硬件設計使同一腔室中可進行Bosch™和超低溫刻蝕工藝,使得納米和微米結(jié)構(gòu)刻蝕均可實現(xiàn)。

兼容50mm至200mm的襯底 - 確保您只需一臺系統(tǒng),便具備從研發(fā)器件到量產(chǎn)的能力

自動匹配 - 擁有工藝靈活性

更高流量的質(zhì)量流量計以及等離子發(fā)生器 - 自由基密度更高

減小的腔體尺寸和高效率的泵 - 確保氣體高速流通

快速近距離耦合質(zhì)量流量計 - 快速控制(初始為ALD而開發(fā))


牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Estrelas應用

  • 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
  • 二氧化硅和石英刻蝕

ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術(shù),可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定,因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產(chǎn)生高密度的反應粒子。襯底上的直流偏壓由一個射頻發(fā)生器獨立控制, 因此可根據(jù)工藝要求控制離子能量。

電感耦合等離子體刻蝕要點

  • 高刻蝕速率
  • 出色的均勻性
  • 低氣壓下高密度的反應粒子
  • 精準的襯底直流偏壓控制
  • 精準的離子能量控制
  • 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC


電感耦合等離子體刻蝕特點及優(yōu)勢

  • 高刻蝕速率可由高離子密度(> 1011 /cm3)和高自由基密度來實現(xiàn)
  • 能夠利用低離子能量實現(xiàn)對選擇比和損傷的控制
  • 獨立的射頻和電感耦合等離子體發(fā)生器分別提供了對離子能量和離子密度的獨立控制, 從而實現(xiàn)了高度的工藝靈活性
  • 在低氣壓工藝下同時仍具有高離子密度,這樣可以改善對外形的控制
  • 化學和離子誘導刻蝕
  • 也可以在RIE模式下運行,以滿足某些慢速刻蝕的需要
  • 可用于ICP-CVD模式的沉積
  • 高導通的泵送端口可提供高氣體流量,以實現(xiàn)快速的刻蝕速率
  • 靜電屏蔽消除了電容耦合,減少了對器件的電學損傷,以及在腔室內(nèi)減少了雜質(zhì)顆粒的形成
  • 標準化的晶圓壓盤與氦冷卻,提供了出色的溫度控制,同時可以選擇更寬的溫度范圍

 


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長沙艾克賽普儀器設備有限公司

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