牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。

牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD特征

• 直開式設計允許快速裝卸晶圓

• 出色的刻蝕控制和速率測定

• 出色的晶圓溫度均勻性

• 晶圓可達200mm

• 購置成本低

• 符合半導體行業(yè) S2 / S8標準

牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD應用

• III-V族刻蝕工藝
• 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
• 類金剛石
• 類金剛石（DLC）沉積
• 二氧化硅和石英刻蝕
• 用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓
• 高質量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途
• 用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕

牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD特點

• 小型系統(tǒng)——易于安置
• 優(yōu)化了的電極冷卻——襯底溫度控制
• 高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構—— 確保提升了工藝均勻性和速率
•  增加<500毫秒的數據記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
•  近距離耦合渦輪泵——提供*的泵送速度加快氣體的流動速度
•  關鍵部件容易觸及——系統(tǒng)維護變得直接簡單
• X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數據信息恢復功能， 同時可以實現更快更可重復的匹配
•  通過前端軟件進行設備故障診斷——故障診斷速度快
• 用干涉法進行激光終點監(jiān)測——在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
• 用發(fā)射光譜（OES）實現較大樣品或批量工藝的終點監(jiān)測—— 監(jiān)測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監(jiān)測