試。適用于微電子、光電子器件科研灣中電子基片和薄膜的面形分布、應(yīng)力分布和應(yīng)力釋放過(guò)程的測(cè)試，為提高電子元器件質(zhì)量和可靠性提供數(shù)據(jù)支持。
可測(cè)Si、CaAs、InGaAs和Ge等具有反光性能的薄膜或拋光片
基片和薄膜面形測(cè)試

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
該儀器采用了主動(dòng)擾動(dòng)抑制技術(shù)、快速應(yīng)力形變分析算法、共光路橫向錯(cuò)位干涉、二維偏振相移等技術(shù)，突破了大口徑、大面形、抗高溫空氣擾動(dòng)等關(guān)鍵技術(shù)，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)?？蓪?duì)6英寸樣品應(yīng)力和形變進(jìn)行全場(chǎng)、快速、直接測(cè)試。適用于微電子、光電子器件科研灣中電子基片和薄膜的面形分布、應(yīng)力分布和應(yīng)力釋放過(guò)程的測(cè)試，為提高電子元器件質(zhì)量和可靠性提供數(shù)據(jù)支持。
可測(cè)Si、CaAs、InGaAs和Ge等具有反光性能的薄膜或拋光片
基片和薄膜面形測(cè)試
薄膜應(yīng)力分布測(cè)試；
應(yīng)力和形變釋放過(guò)程測(cè)試
變溫基片形變和薄膜應(yīng)力測(cè)試；
具有測(cè)試過(guò)程數(shù)據(jù)記錄功能，輸出結(jié)果類型：三維立體顯示、二維偽彩色顯示、數(shù)據(jù)表格、溫度與應(yīng)力曲線
技術(shù)參數(shù)：
測(cè)試樣片尺寸：2～6英寸
激光波長(zhǎng)：650nm±30nm
激光功率：≥15mW
樣品溫控范圍：室溫～200℃
溫度均勻性：±2%±2℃
溫度控制精度：±2%±1℃
溫度顯示分辨率：0.1℃
曲率半徑測(cè)試范圍：∣R∣≥8m
曲率半徑測(cè)試精度：5%
應(yīng)力測(cè)量范圍：50MPa～1GPa
應(yīng)力重復(fù)測(cè)量精度：±10%±10MPa
應(yīng)力測(cè)量顯示分辨率：10MPa
測(cè)試時(shí)間：≤3min/片
電源：AC 220（1±10%）V，50（1±5%）Hz
功耗：≤350W
結(jié)構(gòu)特征：臺(tái)式
外形尺寸（W×H×D）：≤520mm×630mm×850mm
重量：約80kg