基片面形的變化（變形）來測量曲率半徑的變化及應(yīng)力分布，從而計算薄膜應(yīng)力。廣泛應(yīng)用于半導體器件工藝研究及質(zhì)量控制，為改善半導體器件可靠性提供測試數(shù)據(jù)。
本儀器適用于測量Si、Ge、CaAs等半導體材料的基片平整度，以及氧化硅、氮化硅、鋁等具有一定反光性能的薄膜的應(yīng)力分布。
技術(shù)參數(shù)：
測試硅片尺寸：2～4英寸

產(chǎn)品簡介：
該儀器是為解決微電子、光電子科研與灣中基片平整度及薄膜應(yīng)力分布的測試而設(shè)計的。它通過測量每道工序前后基片面形的變化（變形）來測量曲率半徑的變化及應(yīng)力分布，從而計算薄膜應(yīng)力。廣泛應(yīng)用于半導體器件工藝研究及質(zhì)量控制，為改善半導體器件可靠性提供測試數(shù)據(jù)。
本儀器適用于測量Si、Ge、CaAs等半導體材料的基片平整度，以及氧化硅、氮化硅、鋁等具有一定反光性能的薄膜的應(yīng)力分布。
技術(shù)參數(shù)：
測試硅片尺寸：2～4英寸
硅片曲率范圍：|R|> 5米
測試精度：5%（在R=±8米處考核）
單片測試時間：3分鐘/片
輸出結(jié)果類型：面形、曲率分布、梯度分布和應(yīng)力分布
圖形顯示功能：三維立體顯示、二維偽彩色顯示、統(tǒng)計數(shù)據(jù)表格
電    源：AC 220（1±10%）V，50（1±5%）Hz
灣大功耗：100W
外形尺寸：285mm×680mm×450mm
重    量：≤36kg