NIST SRM2841半導(dǎo)體薄膜AlxGa1-xAs外延層旨在用作測(cè)量薄膜成分的分析方法的參考標(biāo)準(zhǔn)

NIST SRM2841半導(dǎo)體薄膜AlxGa1-xAs外延層旨在用作測(cè)量薄膜成分的分析方法的參考標(biāo)準(zhǔn)，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。

 SRM 2841 的一個(gè)單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 基板上生長(zhǎng)經(jīng)過認(rèn)證的 Al 摩爾分?jǐn)?shù) x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個(gè)單元都密封在含有氮?dú)鈿夥盏木埘ケ∧ば欧庵?。正確使用 SRM 作為比較標(biāo)準(zhǔn)取決于分析方法（參見“測(cè)量條件和程序”和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

儲(chǔ)存和處理：

NIST SRM2841半導(dǎo)體薄膜AlxGa1-xAs外延層是一種穩(wěn)定的化學(xué)化合物，但在儲(chǔ)存和搬運(yùn)過程中，薄膜會(huì)受到表面污染的氧化。SRM應(yīng)儲(chǔ)存在無塵、氮?dú)鈿夥栈虻陀?0°C的低真空環(huán)境中。偶然暴露在空氣中以輸送或使用在分析系統(tǒng)中，直到暴露超過數(shù)千小時(shí)時(shí)，才會(huì)產(chǎn)生明顯的污染。SRM應(yīng)由金屬安裝盤用清潔的非金屬鑷子處理，而不與半導(dǎo)體區(qū)域接觸。半導(dǎo)體表面的局部污染可以用去離子水或干氮流去除，用戶必須確認(rèn)沒有引入額外的污染。用于將半導(dǎo)體安裝到不銹鋼圓盤上的膠帶可溶于異丙醇、內(nèi)酯和其他有機(jī)溶劑，使用這些溶劑可能導(dǎo)致膠粘或膠帶顆粒遷移到試樣表面，樣品表面的外邊緣應(yīng)排除在分析范圍之外。

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