NIST SRM 2137硅中硼植入深度剖面濃度校準(zhǔn)旨在用于通過(guò)二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準(zhǔn)對(duì)硅基質(zhì)中微量和痕量硼的二次離子響應(yīng)。

NIST SRM 2137硅中硼植入深度剖面濃度校準(zhǔn)旨在用于通過(guò)二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準(zhǔn)對(duì)硅基質(zhì)中微量和痕量硼的二次離子響應(yīng)。 SRM 2137 的一個(gè)單元由一個(gè)單晶硅襯底組成，其表面通過(guò)硅離子注入而變得無(wú)序。襯底被離子注入同位素10B，標(biāo)稱能量為50 keV。

 SRM 2137 已通過(guò)中子深度剖析獲得 10B 原子保留劑量的認(rèn)證。劑量以每單位面積 10B 質(zhì)量為單位表示。 SIMS 提供了關(guān)于 10B 原子濃度隨地表以下深度變化的未經(jīng)認(rèn)證的信息。

處理：

SRM的植入側(cè)是拋光的，反射面。使用前先清洗表面，使用前應(yīng)用加壓除塵器將灰塵顆粒從表面清除。不推薦用HF蝕刻樣品，因?yàn)槟承┡鹂梢杂帽砻嫜趸锶コ?，也因?yàn)楸趁娴臇艠O圖案將被去除。

儲(chǔ)存：當(dāng)不使用時(shí)，NIST SRM 2137硅中硼植入深度剖面濃度校準(zhǔn)應(yīng)該被儲(chǔ)存在原來(lái)的托盤中，蓋被緊緊地固定著。

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