近年來(lái)，電子工業(yè)不斷發(fā)展功率元件及系統(tǒng)，而電力電子工業(yè)中使用IGBT裝置的數(shù)量也急速增加。由半導(dǎo)體至電力產(chǎn)品之制造廠皆希望在這些產(chǎn)品中改善成較好的效率及降低所有工業(yè)制程步驟的成本，從產(chǎn)品的研發(fā)至zui后產(chǎn)品品質(zhì)的控制過(guò)程皆必須被完善控制。對(duì)這些所有的步驟，測(cè)試相對(duì)地變的非常重要，且必需準(zhǔn)確及可靠。對(duì)在生產(chǎn)過(guò)程而言， 測(cè)試設(shè)備須具備多樣的特點(diǎn)來(lái)配合不同的測(cè)試需求。研發(fā)工程師需要知道其特性便于其設(shè)計(jì)，生產(chǎn)的人員須要快速且容易使用的工具，可控制他們的生產(chǎn)制程，品質(zhì)管制人員則需要檢查他們所組合的產(chǎn)品的特性及收集他們的結(jié)果來(lái)做統(tǒng)計(jì)分析。
（一）多用途性（Versatility）
現(xiàn)代的測(cè)試設(shè)備所須的功能，必須能不被限制其zui大電流及電壓之供給。目前IGBT的產(chǎn)品其電流可通過(guò)1200A及阻斷電壓可高達(dá)3300V，但不久之后IGBT的產(chǎn)品即會(huì)有達(dá)到4500V及2000A的能力。且無(wú)人可預(yù)測(cè)未來(lái)其電壓及電流可達(dá)到多少，再者，現(xiàn)今IGBT 的測(cè)試設(shè)備，也須能測(cè)試新元件MCTS （ MOS Contrlled Thyristort） 或是IGCT （Integrated Gate-Commutated Thyristor）。
因此，測(cè)試設(shè)備的評(píng)估上，須能適應(yīng)及符合未來(lái)可能的發(fā)展，其不論是硬體，如電壓電流產(chǎn)生器或軟體上。
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（二）操作簡(jiǎn)單（Ease of Handling）
測(cè)試設(shè)備除了上述之特色外，應(yīng)仍保持操作簡(jiǎn)單及效率佳的能力。達(dá)此目的*之方法即是使用者不須具備特殊訓(xùn)練即可操作此設(shè)備。如有使用晶體管特性圖示儀的用戶，操作起來(lái)會(huì)更加方便。此測(cè)試系統(tǒng)亦可經(jīng)常地改變測(cè)試的半導(dǎo)體元件的型式（通常一天數(shù)次），對(duì)新的半導(dǎo)體元作的型式其可能會(huì)須要不同的制具（jig），或是更復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)閘控制，或是一緩沖器 （Sunbber） 的保護(hù)等。因此，使用模組化系 統(tǒng)即可達(dá)到上述之需求。在一個(gè)基本的測(cè)試系統(tǒng)上，加上一些可更換的測(cè)試單元，使其可執(zhí)行不同范圍產(chǎn)品的量測(cè)。
（三）安全性（Safety）
IGBT的測(cè)試系統(tǒng)因其可提供非常高的電壓輸出，對(duì)操作者來(lái)講是有一 潛在的危險(xiǎn)性，當(dāng)在操作高電壓及大電流時(shí)，操作員的安全性應(yīng)予以考慮，即該設(shè)備須在不同國(guó)家的規(guī)范中皆可符合其安全標(biāo)準(zhǔn)。
在執(zhí)行測(cè)試時(shí)，在危險(xiǎn)的區(qū)域應(yīng)使用滑動(dòng)式門鎖定而予以保護(hù)，所有參數(shù)皆應(yīng)設(shè)置于安全的工作區(qū)域中，所有的保護(hù)措施的控制皆應(yīng)由硬體部份來(lái)控制，而不是軟體來(lái)控制。很顯然的，在整條生產(chǎn)線上（研發(fā)測(cè)試時(shí)），時(shí)間是一個(gè)很重要的因素，因此，安全系統(tǒng)必須要很方便，而盡可能地對(duì)測(cè)試的速度影響愈小愈好。
靜態(tài)測(cè)試（Static tests）
此測(cè)試之目的在提供元件（device）的詳細(xì)特性，讓設(shè)計(jì)者能精確地預(yù)測(cè)元件在穩(wěn)態(tài)（Steady state）情況時(shí)之行為，此可協(xié)助使用者選擇*的元件來(lái)用于他的應(yīng)用中，更進(jìn)一步地讓其對(duì)與半導(dǎo)體元件相連接的設(shè)備如：電壓鉗式單元，閘極驅(qū)動(dòng)，冷卻系統(tǒng)等的設(shè)計(jì)更為妥切。
（一）集射極崩潰電壓 （Collector Emitter Breakdown Voltage） VCEs
量測(cè)于特定的集極電流IC下閘極短路至射極時(shí)，跨于集、射極兩端之電壓為VcEs 如圖1, IGBT 的集射極崩潰電壓是會(huì)隨著介面（Junction）溫度增加而增加的（典型對(duì)600V之IGBT 會(huì)有0.7V/℃）
（二）集極至射極的泄漏電流IcEs ［或稱為集極的截止（Cut-off ）電流］
在額定的集射極電壓和閘射極短路下之集極電流為IcEs值（如圖2）, IcEs的量測(cè)通常在25℃及zui大的工作介面（Junction）溫度，且集極泄漏電流 亦會(huì)隨介面溫度升高而增加。因此，在測(cè)試期間限制電流流過(guò)及避免 thermal升高是很重要的。
（三）集極至射極的飽和電壓 （Collector to emitter saturation voltage） VcEsat
VcEsat（圖3）是在特定的集極電流，閘射極電壓及介面溫度時(shí)之集射極導(dǎo)通電壓VcEsat是相當(dāng)重要的特性，因?yàn)槠鋾?huì)決定導(dǎo)通之損失，在大的 極電流時(shí)，測(cè)試的脈沖必須非常短，如此不致有過(guò)多之損失。
（四）二極體順向電壓（Diode Forward Voltage） VF
VF（圖4）是指IGBT模組中的飛輪二極體（Freewheeling Diode）在特定電流
及介面溫度時(shí)之順向?qū)妷褐怠?
（五）閘極臨界電壓（Gate threshold Voltage） VGeth
VGeth（圖5）是指在特定集極電流及閘極短路至集極時(shí)之射極的電壓值。 當(dāng)閘射極電壓小于臨界值時(shí)IGBT是OFF狀態(tài)，因此閘極臨界電壓即是閘射極電壓使IGBT導(dǎo)通并流過(guò)特定的集極電流。VGEth是隨著介面溫度遽增而遞減的（-11mV/℃）。
（六 ）跨導(dǎo)（Transconductance） gfs
跨導(dǎo)（gfs）（圖6）是于特定集極電流時(shí)，集極電流和閘射極電壓之商數(shù) 。 跨導(dǎo)是用來(lái)表示IGBT增益的方式。由于跨導(dǎo)的量測(cè)是在清楚嚴(yán)格的特定條件下所做的兩個(gè)量測(cè)之值，因此，測(cè)試設(shè)備的精準(zhǔn)性對(duì)測(cè)試結(jié)果有很大的影向力。
第二種方法是調(diào)整閘射極電壓至特定的集射極電壓（VP）并思考下列式子：
△ VGE = △Vp
IGBT的順向跨導(dǎo)是會(huì)隨著介面溫度升高而增加的，其原因在于定閘極電壓時(shí)，增加集極電流時(shí)，因電流Thermal run-away而會(huì)使晶片溫度升高，因此IGBT 并不被建議來(lái)當(dāng)做一個(gè)線性放大器使用。
（七）閘極至射極之泄漏電流IGEs
IGEs（圖8）是指在特定的閘射極電壓及集極短路至射極時(shí)閘極之泄漏電流 。此測(cè)試可能可以知道正或負(fù)的閘射極電壓。所量測(cè)的電流是相當(dāng)小的，因此，脈沖至少須維持一個(gè)電源周期的積分時(shí)間，避免因閘極電容吸收的電流所產(chǎn)生之誤差。此量測(cè)必須在閘極電壓穩(wěn)定后才可進(jìn)行。
