分子束外延 MBE-10
上海伯東代理分子束外延設(shè)備 MBE-10 可以成長四寸～六寸的樣品, 樣品溫度可以加到 900攝氏度, 如果是兩寸以下的樣品可以到 1100 攝氏度.可以裝置 10個束源爐, zui大容量 40cc. 分子束外延設(shè)備 MBE-10 配備晶振, 束流監(jiān)控器. 高能電子槍以及監(jiān)控軟件. 可以裝置固體源, 氣體源 / ALD 閥, 等離子增強型束源爐 ( plasma cell ) 及我們特制的電子回旋共振束源爐 ( ECR plasma cell ). 可裝電子槍 E-beam.

此腔體是用 SUS316 不銹鋼制作, 真空可到 2×10-10 torr, 使用上海伯東德國 Pfeiffer HiPace 700 分子泵. 內(nèi)部有全罩式液態(tài)氮冷罩, 可提供非常大的抽氣效率. 分子束外延設(shè)備在長二維材料以及拓撲材料, 氧化物方面都有不錯的性能. 如: III-V 族, II-VI 族, Si / SiGe, 金屬與金屬氧化物, 以及 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等.

分子束外延 MBE-10 主要參數(shù):
• Cylindrical SS316L electro-polished chamber with Liquid N2 Cryopanel
• ~2E-10 Torr Base Pressure
• UHV pumps and gauges
• 3-in substrate size
• 4-axes sample manipulator (XYZ, and Rotation)
• SiC heating element with sample heating temperature: 900°C
• 2-12 slots for effusion cells, gas source, vavle crackers, and/or plasma source
• Standard RHEED system (real-time epitaxy monitoring)
• Beam flux monitor
• Mask system with z-motion
• Pressure control system: upstream and downstream
• FBBeam System Control Software

分子束外延設(shè)備優(yōu)勢
清潔基體表面, 無氧層
外延 (原子層 ) 沉積
沉積薄膜均勻性好, 純度高
金屬種子, 半導體材料和摻雜劑的原位沉積
準確控制熱蒸發(fā)
使用 RHEED 系統(tǒng)進行現(xiàn)場涂層監(jiān)測
沉積薄膜的超豎琴 XRD 圖譜

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上海伯東 : 羅先生