| 參考價 | ￥300000-￥600000 |
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上海伯東代理美國進口 KRI 霍爾離子源 eH200 是霍爾離子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本設(shè)計離子源. 霍爾離子源 eH200 適用于小型真空腔內(nèi), 例如研發(fā)分析, 薄膜沉積和離子清洗. 霍爾離子源 eH200 操作簡單是理想的生產(chǎn)工具.
KRI 霍爾離子源 eH 200
上海伯東代理美國進口 KRI 霍爾離子源 eH200 是霍爾離子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本設(shè)計離子源. 霍爾離子源 eH200 適用于小型真空腔內(nèi), 例如研發(fā)分析, 薄膜沉積和離子清洗. 霍爾離子源 eH200 操作簡單是理想的生產(chǎn)工具.
KRI 霍爾離子源 eH 200 技術(shù)參數(shù)：
型號 | eH 200 |
供電 | DC magnetic confinement |
- 電壓 | 40-300V VDC |
- 離子源直徑 | ~ 2 cm |
- 陽極結(jié)構(gòu) | 模塊化 |
電源控制 | eHx-3005A |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament or Hollow Cathode |
- 離子束發(fā)散角度 | > 45° (hwhm) |
- 陽極 | 標準或 Grooved |
- 水冷 | 無 |
- 底座 | 移動或快接法蘭 |
- 高度 | 2.0' |
- 直徑 | 2.5' |
-加工材料 | 金屬 |
-工藝氣體 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安裝距離 | 6-24” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Filamentless; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 200 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD
若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生
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