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Obducat納米壓印儀EITRE® 3

參考價(jià) 1
訂貨量 ≥1 臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng) 冠乾科技(上海)有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 所在地 上海
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間 2023/1/8 15:57:26
  • 訪問(wèn)次數(shù) 428

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傳統(tǒng)光刻技術(shù)是利用電子和光子改變光刻膠的物理化學(xué)性質(zhì),進(jìn)而得到相應(yīng)的納米圖形。Obducat納米壓印儀EITRE® 3技術(shù)卻可以不使用電子和光子,直接利用物理機(jī)理機(jī)械地在光刻膠上構(gòu)造納米尺寸圖形。目前NIL技術(shù)已經(jīng)可以制作線(xiàn)寬在5nm以下的圖案。鑒于其技術(shù)優(yōu)勢(shì),NIL可應(yīng)用于微電子器件、信息存儲(chǔ)器件、微反應(yīng)器、微/納機(jī)電系統(tǒng)、傳感器、微/納流控器件、生物醫(yī)用界面、光學(xué)及光子學(xué)材料等眾多領(lǐng)域。

詳細(xì)信息 在線(xiàn)詢(xún)價(jià)

Obducat公司成立于1989年,總部位于瑞典隆德,旋涂分公司位于德國(guó)拉多爾夫采爾。2000年,Obducat成為將納米壓印技術(shù)商業(yè)化的公司,擁有大的NIL安裝基地。公司擁有SPT軟壓、STU紫外及熱同時(shí)壓印和IPS(TM)中間聚合物模版等技術(shù)。作為納米壓印設(shè)備提供商,不斷為公司和科研院校提供可行、低成本、高效益的納米壓印生產(chǎn)及科研的全套解決方案。在發(fā)展和生產(chǎn)下一代的電子消費(fèi)產(chǎn)品如:相機(jī)CMOS傳感器、各種硬盤(pán)、存儲(chǔ)介質(zhì)、高亮度LED、平板顯示器和下一代藍(lán)光光盤(pán)等方面推波助瀾。

Obducat納米壓印儀EITRE® 3

納米壓印技術(shù)NIL(NanoImprint Lithography technology)類(lèi)似于古代的印章,是一項(xiàng)圖形轉(zhuǎn)移和復(fù)制技術(shù)。1995年,普林斯頓大學(xué)納米結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室Stephen Y.Chou教授通過(guò)機(jī)械力在涂有高分子材料的硅基板上等比例壓印復(fù)制了模版上的納米圖案,其加工分辨率只與模版圖案尺寸有關(guān),而不受光刻短曝光波長(zhǎng)的物理限制,由此引出納米壓印技術(shù)。



納米壓印示意圖

納米壓印流程圖


    傳統(tǒng)光刻技術(shù)是利用電子和光子改變光刻膠的物理化學(xué)性質(zhì),進(jìn)而得到相應(yīng)的納米圖形。NIL技術(shù)卻可以不使用電子和光子,直接利用物理機(jī)理機(jī)械地在光刻膠上構(gòu)造納米尺寸圖形。目前NIL技術(shù)已經(jīng)可以制作線(xiàn)寬在5nm以下的圖案。鑒于其技術(shù)優(yōu)勢(shì),NIL可應(yīng)用于微電子器件、信息存儲(chǔ)器件、微反應(yīng)器、微/納機(jī)電系統(tǒng)、傳感器、微/納流控器件、生物醫(yī)用界面、光學(xué)及光子學(xué)材料等眾多領(lǐng)域。





納米壓印技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域


Obducat納米壓印儀EITRE® 3

The EITRE® Nano Imprint Lithography (NIL) Systems offer a manual and affordable lithography solution, allowing pattern replication in the micro- and nanometer range. The embedded SoftPress® technology ensures excellent residual layer thickness control across the entire imprint area, enabling an accurate pattern transfer.




FULL AREA IMPRINT

SOFTPRESS® TECHNOLOGY

USER-FRIENDLY INTERFACE

MULTIPLE IMPRINT PROCESS CAPABILITY

WIDE RANGE OF CONFIGURATION POSSIBILITIES

SUB-20NM RESIDUAL LAYER THICKNESS



 




冠乾科技(上海)有限公司

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