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超大靶面CMOS平板傳感器

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ISDI是高性能成像半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者,提供定制超大靶面CMOS平板傳感器

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ISDI是高性能成像半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者,提供定制超大靶面CMOS平板傳感器。

ISDI成立于2010年,由一個半導(dǎo)體設(shè)計團(tuán)隊與通過科學(xué)和研究領(lǐng)域的項目獲得的CMOS圖像傳感器方面的知識和經(jīng)驗。自成立以來,ISDI已經(jīng)從一個科學(xué)傳感器的設(shè)計者發(fā)展到一個廣泛應(yīng)用的晶片級成像設(shè)備的制造商。

所提供超大靶面CMOS平板傳感器適合板到板或板通過電纜連接到數(shù)據(jù)采集PCB。數(shù)字接口設(shè)計用于直接連接到FPGAASIC對于50μm100μm傳感器,顯影板可通過USBGigevision直接與攝像機(jī)連接。

所有超大靶面CMOS平板傳感器設(shè)計可用于X射線環(huán)境中的低噪聲操作,適用于板(FOP)粘合或直接閃爍沉積。

一個多功能,功能豐富的硅片級圖像傳感器結(jié)合ISDI設(shè)計組成低噪聲像素架構(gòu)。并且,傳感器可以對接以形成更大的連續(xù)圖像區(qū)域。


超大靶面CMOS平板傳感器關(guān)鍵特征:

 

?卷簾曝光                                        

 

?高、低滿阱(HFW、LFW)可選,適合高、低靈敏度應(yīng)用

 

?片內(nèi)溫度傳感器

 

?動態(tài)設(shè)置感興趣區(qū)域(ROI

 

?非破壞性讀出選項


超大靶面CMOS平板傳感器應(yīng)用圖例:


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