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X射線探測器

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探測器以熱電冷卻的Si-Pin光電二極管作為X射線探測元器件,根據(jù)不同探測器類型和峰化時間,55Fe的5.9KeV峰值分辨率可達(dá)145eV;FASTSDD探測器峰值分辨率更可達(dá)122eV

詳細(xì)信息 在線詢價

探測器以熱電冷卻的Si-Pin光電二極管作為X射線探測元器件,根據(jù)不同探測器類型和峰化時間,55Fe的5.9KeV峰值分辨率可達(dá)145eV; FAST SDD 探測器峰值分辨率更可達(dá)122eV。


XR-100系列

探測器型號

探測器材料

探測器面積

探測器厚度

鈹(Be)窗    厚度

備注

XY-FSG32MD-G3SP

Si-PIN

6 mm2

500 μm

1 mil

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

XY-FS432MD-G3SP

Si-PIN

13mm2

500 μm

1 mil

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

XY-FSJ32MD-G3SP

Si-PIN

25mm2

500 μm

1 mil

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

XY-FSG32MD-G2SP

Si-PIN

6mm2

500 μm

0.5mil

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

XY-GSH3AMD-G2SP

SDD

25mm2

500 μm

0.5mil

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

XY-GSH3AMD-E1SP

SDD

25mm2

500 μm

0.3mil

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

XY-GSH3AMD-UOEA

SDD

25mm2

500 μm

C1 Window

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

XY-GSH3AMD-E6EA

SDD

25mm2

500 μm

C2 Window

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

XY-HSH3AMD-G2S

FAST SDD

25mm2

500 μm

0.5mil

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

XY-HSH3AMD-G1S

FAST SDD

25mm2

500 μm

0.3mil

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

XY-HSH3AMD-U0EA

FAST SDD

25mm2

500 μm

C1 Window

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

XY-HSH3AMD-E6EA

FAST SDD

25mm2

500 μm

C2 Window

有內(nèi)置準(zhǔn)直器

** Silicon Drift Detector (SDD) uses a junction gate field-effect transistor (JFET) inside the hermetically sealed TO-8 package, along with an external preamplifier. FAST SDD uses a complementary metal-oxide-semiconductor () preamplifier inside the TO-8 package, and replaces the JFET with a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET).  


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