CG6300提供更高的解析度、測量再現(xiàn)性以及高畫質高解析度FEB測量裝置（CD-SEM）CG6300通過電子光學系統(tǒng)的全新設計提高了解析度，并進一步提高了測量可重復性和圖像畫質。 電子顯微鏡線圈能夠選擇從對象材料反射出的二次電子和背向散射電子，實現(xiàn)BEOL制程*1的Via-in-trench*2和3D-NAND、DRAM工程中的深溝槽?洞底的尺寸測量。 此外，電子束的掃描速度是前機型的兩倍，可以減小Wafer表面帶電的影響，更好的獲取高解析度圖像并能夠通過高對比度檢測Edge。 還有新設計的芯片載臺與前型號相比每小時處理晶圓數量提高20％以上從而提高生產力，并降低用戶的Cost of Ownership*3。另外，為了應對裝置的大規(guī)模生產，裝置間的機差抑制到了最小，從而實現(xiàn)了長期穩(wěn)定運行。*1BEOL工藝（Back End Of Line）：半導體前端工藝中的配線形成工藝。*2Via-in-trench：BEOL工藝中凹槽的底部設置孔的構造，洞深比高于從前。*3Cost of Ownership：設備?機器等安裝和運行管理所需的總費用。
CG6300提供更高的解析度、測量再現(xiàn)性以及高畫質
高解析度FEB測量裝置（CD-SEM）CG6300通過電子光學系統(tǒng)的全新設計提高了解析度，并進一步提高了測量可重復性和圖像畫質。
電子顯微鏡線圈能夠選擇從對象材料反射出的二次電子和背向散射電子，實現(xiàn)BEOL制程*1的Via-in-trench*2和3D-NAND、DRAM工程中的深溝槽?洞底的尺寸測量。
此外，電子束的掃描速度是前機型的兩倍，可以減小Wafer表面帶電的影響，更好的獲取高解析度圖像并能夠通過高對比度檢測Edge。
還有新設計的芯片載臺與前型號相比每小時處理晶圓數量提高20％以上從而提高生產力，并降低用戶的Cost of Ownership*3。另外，為了應對裝置的大規(guī)模生產，裝置間的機差抑制到了最小，從而實現(xiàn)了長期穩(wěn)定運行。
| 晶圓尺寸 | Φ300 mm （SEMI 標準規(guī)格 V notched wafer） |
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| 自動裝片 | 3 FOUP*4 -compatible random access |
| 電源 | 單相AC200V、208V、230V、12kVA（50/60Hz） |
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