本設(shè)備令I(lǐng)GBT/IPM (Intelligent power transistor) /DIODE消耗規(guī)定的電量,并在規(guī)定時間內(nèi)間歇式供電,籍此評估樣品的可靠性。同時也可測量熱阻。相關(guān)數(shù)據(jù)存放于HOST PC中。亦兼?zhèn)銲PM、DIODE的測試。
通電模式 | 連續(xù)、間歇(可以測試熱抗) | |
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通電電源 | 恒流 | ~800A max |
開路電壓 | 16V | |
Vce設(shè)置 | ~10.0V?。↖GBT情況下,VGE為自動控制) | |
時間設(shè)置 | 通電時間 | 0.5~600.0sec. |
停止時間 | 1~3600sec. | |
次數(shù)設(shè)置 | 循環(huán)次數(shù) (運轉(zhuǎn)模式通用) | 999999次 |
間歇運行次數(shù)(帶計數(shù)器功能) | 9999999次 | |
運行模式 |
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溫度調(diào)整 | 強制風冷散熱器 |
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