WD4000晶圓形貌檢測設(shè)備自動(dòng)測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。
1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù)，同時(shí)生成Mapping圖；
2、采用白光干涉測量技術(shù)對(duì)Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像，顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖，高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù)；
3、基于白光干涉圖的光譜分析儀，通過數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算，達(dá)到亞納米分辨率測量表面的局部高度，實(shí)現(xiàn)膜厚測量功能；
4、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計(jì)算出兩表面間的距離（即厚度），可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度，包括碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅等。
測量功能
1、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過濾頻譜等功能；提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。
4、WD4000晶圓形貌檢測設(shè)備提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等；粗糙度分析包括國際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù)；結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。
部分技術(shù)規(guī)格
品牌：CHOTEST中圖儀器
型號(hào)：WD4000系列
厚度和翹曲度測量系統(tǒng)
可測材料：砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
測量范圍：150μm~2000μm
掃描方式：Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn)
測量參數(shù)：厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度
三維顯微形貌測量系統(tǒng)
測量原理：白光干涉
干涉物鏡：10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個(gè))
可測樣品反射率：0.05%~100
粗糙度RMS重復(fù)性：0.005nm
測量參數(shù)：顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù)
膜厚測量系統(tǒng)
測量范圍：90um(n= 1.5)
景深：1200um
最小可測厚度：0.4um
紅外干涉測量系統(tǒng)
光源：SLED
測量范圍：37-1850um
晶圓尺寸：4"、6"、8"、12"
晶圓載臺(tái)：防靜電鏤空真空吸盤載臺(tái)
X/Y/Z工作臺(tái)行程：400mm/400mm/75mm
如有疑問或需要更多詳細(xì)信息，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢。
應(yīng)用場景
1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過非接觸測量，將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。
2、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片，細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm，測量穩(wěn)定性良好。
懇請(qǐng)注意：因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請(qǐng)諒解。
