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MIRAD紅外輻照器

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產(chǎn)品介紹紅外輻照器外形圖紅外輻照器模塊組成圖MIRAD輻照器的設(shè)計思路整合了三個模塊(MTB中溫的黑體,VAB光機(jī)輻射衰減器和三個TP透射管),三個模塊組合一起,從而在管道出口幾十毫米下的晶圓面接收到均勻、光強(qiáng)可調(diào)節(jié)的MWIR/LWIR輻照

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產(chǎn)品介紹

                               紅外輻照器外形圖                                                           紅外輻照器模塊組成圖


MIRAD輻照器的設(shè)計思路整合了三個模塊(MTB中溫的黑體,VAB光機(jī)輻射衰減器和三個TP透射管),三個模塊組合一起,從而在管道出口幾十毫米下的晶圓面接收到均勻、光強(qiáng)可調(diào)節(jié)的MWIR/LWIR輻照。


? MIRAD的設(shè)計針對半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。與典型黑體相比,MTB黑體的熱發(fā)射明顯降低。對通過VAB衰減器的空氣進(jìn)行了過濾。TP透射管內(nèi)的光學(xué)元件保護(hù)半導(dǎo)體晶圓不受來自MTB黑體高溫發(fā)射端涂層掉落粒子的污染。

產(chǎn)品參數(shù)

參數(shù)

描述

總體參數(shù)

TP3 管到被測sensor的距離

28   mm (可定制)

晶圓表面的寬波段輻照度

至少8 mW/cm2 (詳見測試報告)

被測sensor面積

直徑60mm

建議測量區(qū)域大小

不超過直徑 40mm

輻照度不均勻性

< ±2%  ,直徑30 mm范圍內(nèi)

< ±3%  ,直徑 50 mm范圍內(nèi)

<   ±5%  ,直徑 60 mm范圍內(nèi)

輻射波段

 0.7µm 到 30 µm

發(fā)射光譜

類似于所設(shè)置的黑體溫度對應(yīng)Planck光譜

黑體參數(shù)

黑體溫度范圍

50°C 到550°C

建議 ≤ 500°C

黑體輻射面積

直徑 120 mm

黑體輻射有效面積

直徑 90 mm

調(diào)整分辨率

10mK

時間穩(wěn)定性

不超過50 mK

控制方式

USB接口,PC控制

VAB 衰減器

透過率范圍

0% 到 99%

調(diào)制分辨率

不少于 0.1%

潔凈空氣過濾器

控制方式

USB接口,PC控制

TP1/TP2/TP3   管

尺寸

 IP750 成像測試機(jī)定制尺寸

設(shè)計

管內(nèi)有擋板,集成光學(xué)鏡片和整形部件

透過率

1 µm 到30 µm范圍內(nèi)均勻透過

其他參數(shù)

工作溫度

+5oC到 35oC

儲存溫度

-5oC到 55oC

工作濕度

不超過75%

儲存濕度

不超過50%




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