Flex-Axiom型多功能原子力顯微鏡
材料研究用的多功能AFM
●用于材料研發(fā)的多功能原子力顯微鏡
●模塊化概念可以剛好符合您的需求
●適用于任何尺寸的樣品
為了材料研發(fā)上的成功,科學(xué)家們依賴(lài)于能夠隨時(shí)提供所需信息的專(zhuān)業(yè)工具，而不管手頭的任務(wù)是什么。通過(guò)推進(jìn)關(guān)鍵技術(shù)與設(shè)計(jì)，Nanosurf使Flex-Axiom成為成為有史以來(lái)功能多、靈活性的AFM之一，可以輕松地處理各種材料研究應(yīng)用。結(jié)合強(qiáng)大的C3000控制器，復(fù)雜的材料表征成為可實(shí)現(xiàn)的。
幾百個(gè)研究用戶(hù)，多方面應(yīng)用實(shí)例
Flex-Axiom是您可信賴(lài)的工具，不管是在表面形貌還是計(jì)量成像上，不管在大氣中還是液體環(huán)境中。 當(dāng)然Flex-Axiom不僅僅可以用于表面形貌測(cè)量，還可以進(jìn)行的機(jī)械，電學(xué)或磁性能表征。該系統(tǒng)也成功地用于局部樣品納米加工。
高精確度且優(yōu)異的性能滿(mǎn)足您研發(fā)上的需求
Flex-Axiom使用一個(gè)極其線(xiàn)性的電磁掃描頭進(jìn)行XY軸運(yùn)動(dòng)。該掃描頭實(shí)現(xiàn)了在整個(gè)掃描范圍內(nèi)的平均線(xiàn)性偏差小于0.1％，屬于A(yíng)FM市場(chǎng)上的頂配。 Z軸采用壓電驅(qū)動(dòng)，帶有位置傳感器，可實(shí)現(xiàn)閉環(huán)操作。一個(gè)靈敏的懸臂檢測(cè)系統(tǒng)可以很好地測(cè)量到MHz頻率范圍。掃描頭連接到具有數(shù)字反饋和2個(gè)雙通道鎖定放大器的全功能24位C3000控制器上。
Flex-Axiom 成像模式
以下描述為儀器所具備的模式。某些模式可能需要其他組件或軟件選項(xiàng)。詳情請(qǐng)瀏覽產(chǎn)品手冊(cè)或直接聯(lián)系我們。
靜態(tài)力模式
橫向力模式
動(dòng)態(tài)力模式(輕敲模式)
相位成像模式
熱成像模式
熱掃描顯微 (SThM)
磁性能
磁力顯微
電性能
導(dǎo)電探針 AFM (C-AFM)
壓電力顯微 (PFM)
靜電力顯微 (EFM)
開(kāi)爾文探針力顯微 (KPFM)
掃描擴(kuò)散電阻顯微 (SSRM)
機(jī)械性能
力譜
力調(diào)制
剛度和模量
附著力
延展性
力映射
其他測(cè)量模式
刻蝕和納米加工
電化學(xué) AFM (EC-AFM)
應(yīng)用示例
SrTiO3在動(dòng)態(tài)模式下的的形貌
鈦酸鍶 (SrTiO3, STO)是鈦和鍶的氧化物，具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。它具有有趣且部分的材料特性。 它被用作氧化物基薄膜和高溫超導(dǎo)體生長(zhǎng)的基質(zhì)。STO形成分層結(jié)構(gòu)的表面。各層的厚度在幾埃的范圍內(nèi)。原子力顯微鏡是成像和測(cè)量這些結(jié)構(gòu)的理想工具。
顯示鈦酸鍶階梯的形貌圖，圖像尺寸1.1μm。
截面輪廓和高度分布
樣品清晰地顯示了STO典型的層結(jié)構(gòu)。這里，這些層并不是光滑的，顯出出大約125pm的殘余粗糙度（RMS）。這是由于在制備該STO樣品期間的非理想終止過(guò)程造成的。中間曲線(xiàn)圖顯示了左圖所示圖像的輪廓線(xiàn)，從圖像區(qū)域的左上角延伸到右下角。該輪廓還清晰地顯示了樣品的層狀結(jié)構(gòu)，并揭示了層高度約.4 ?。同樣，在右側(cè)曲線(xiàn)圖中，左圖的高度分布直方圖清晰地顯示了大約.4 ?-即樣品的不同層之間的峰的間距。
CVD生長(zhǎng)的二硫化鉬單層膜的形貌和KPFM
在本應(yīng)用中，使用Flex-Axiom的開(kāi)爾文探針力顯微 (KPFM)對(duì)通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）生長(zhǎng)的單層MoS2進(jìn)行成像，以研究單晶上的接觸電位差變化。 單層MoS 2是通過(guò)化學(xué)氣相沉積在硅基體上生長(zhǎng)的 (樣品提供: 伊利諾伊大學(xué) – Urbana-Champlain).單層膜表面接觸電位信號(hào)的不均勻性可以反映摻雜分布和其他表面缺陷。
單層MoS2光學(xué)顯微圖
a)單層MoS2AFM形貌圖 輪廓的位置是紅線(xiàn)標(biāo)注的地方
b) 單層膜上的高度（上圖）和KPFM電壓（下圖）分布
使用Flex-Axiom測(cè)量顯示的單層MoS2的臺(tái)階高度為0.6 nm。并行KPFM測(cè)量顯示單層膜和SiO 2基體之間的接觸電位差為650 mV。
3D AFM形貌疊加MoS2
在下面的實(shí)驗(yàn)中，使用 Flex-Axiom 系統(tǒng)一次性記錄了KPFM和形貌數(shù)據(jù)。 也見(jiàn)相關(guān)的
不銹鋼的KPFM 圖疊加在形貌圖上
掃描大小: 80 µm x 80 µm
電位范圍: 200 mV
形貌圖本身
掃描大小: 80 µm x 80 µm
高度范圍: 50 nm
相同區(qū)域的MFM圖
掃描大小: 80 µm x 80 µm
相位范圍: 10°
