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PMST-3500V 功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀功率器件分析儀

參考價(jià) 1000
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 武漢普賽斯儀表有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) PMST-3500V
  • 所在地 武漢市
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024/6/25 15:18:13
  • 訪問次數(shù) 88

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普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對(duì)功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀功率器件分析儀感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

靜態(tài)特性測試挑戰(zhàn)


隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升,測試和驗(yàn)證也變得更加重要。通常,主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開關(guān)特性。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標(biāo),與工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù),如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)(如擊穿電壓、漏電流、閾值電壓、跨導(dǎo)、壓降、導(dǎo)通內(nèi)阻)等。


功率半導(dǎo)體器件是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式器件,兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn):同時(shí)半導(dǎo)體功率器件的芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對(duì)芯片的可靠性要求較高,這給測試帶來了一定的困難。市面上傳統(tǒng)的測量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求,但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性,這就對(duì)器件的測試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。


功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀功率器件分析儀


更高精度更高產(chǎn)量


并聯(lián)應(yīng)用要求測試精度提離,確保一致性


終端市場需求量大,要求測試效率提高,UPH提升



更寬泛的測試能力

更寬的測試范圍、更強(qiáng)的測試能力


更大的體二極管導(dǎo)通電壓


更低的比導(dǎo)通電阻


提供更豐富的溫度控制方式




更科學(xué)的測試方法


掃描模式對(duì)閾值電壓漂移的影響


高壓低噪聲隔離電源的實(shí)現(xiàn)


高壓小電流測量技術(shù)、高壓線性功放的研究


低電感回路實(shí)現(xiàn)




柔性化測試能力


兼容多種模塊封裝形式


方便更換測試夾具


靈活配置,滿足不同測試需求



PMST系列功率器件測試設(shè)備是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì),精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),是一致能夠提供IV,CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.  BJT、 IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試,并具有著越的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。


針對(duì)用戶不同測試場景的使用需求,普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)半自動(dòng)化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)全自動(dòng)化測試系統(tǒng)三款功事器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。更多有關(guān)功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀功率器件分析儀詳情上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢


功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀功率器件分析儀


從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋

從Si IGBT. SiC MOS到GaN     HEMT的全國蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到PM的全覆蓋


 產(chǎn)品特點(diǎn)


 高電壓、大電流


 具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(蕞大可擴(kuò)展至10kV)


 具有大電流測量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))


 高精度測量


  納安級(jí)漏電流,  μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻


  0.1%精度測量


  模塊化配置


  可根據(jù)實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測量單元


  測試效率高


  內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測量單元


  支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試


  擴(kuò)展性好


  支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具


硬件特色與性能優(yōu)勢


大電流輸出響應(yīng)快,無過沖


采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源,輸出建立過程響應(yīng)快、無過沖。測試過程中,大電流典型上升時(shí)間為15us,脈寬在50-500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測試方式,可有效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。


高壓測試支持恒壓限流,恒流限壓模式


采用自主開發(fā)的高性能高壓源,輸出建立與斷開響應(yīng)快、無過沖。在擊穿電壓測試中,可設(shè)定電流限制或者電壓限值,防止器件因過壓或過流導(dǎo)致?lián)p壞。

功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀功率器件分析儀


功率半導(dǎo)體參數(shù)測試儀功率器件分析儀測試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等


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