四探針粉末電導(dǎo)率測(cè)試儀本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值、電阻率、方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).

四探針粉末電導(dǎo)率測(cè)試儀四探針粉末電導(dǎo)率測(cè)試儀

導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法提要探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3 Nˉ0.8N兩種。以下文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。但凡注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括訂正的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T 1552硅、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定直排四探針法樣品臺(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合GB/T152 中的規(guī)定。樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn)360"的裝置。其誤差不大于士5"，測(cè)量裝置測(cè)量裝置的典型電路叉圖1，范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測(cè)薄層相反。適用于測(cè)量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測(cè)量范圍為10A-5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量，但其測(cè)量準(zhǔn)確度尚未評(píng)估。使用直排四探針測(cè)量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測(cè)量?jī)蓛?nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計(jì)算出薄層電阻。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試采用四探針組合雙電測(cè)量方法，液晶顯示，自動(dòng)測(cè)量，自動(dòng)量程，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

采用四探針組合雙電測(cè)量方法，液晶顯示，自動(dòng)測(cè)量，自動(dòng)量程，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.