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RPS晶圓干法去膠機

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一、常規(guī)參數(shù)1.安裝尺寸:1300*2300*2000mm(寬*長*高)2.設備參數(shù)配置:三相電壓380V,50/60Hz,總電流不超過50A;3.設備部署環(huán)境:萬級淨化間,溫度21~23℃,相對濕度45±5%

詳細信息 在線詢價

一、常規(guī)參數(shù)

1.安裝尺寸:1300*2300*2000mm(寬*長*高)

2.設備參數(shù)配置:三相電壓380V,50/60Hz,總電流不超過50A;

3.設備部署環(huán)境:萬級淨化間, 溫度21~23℃,相對濕度45±5%;

4. MTTR/平均故障修復時間<4小時,MTBF/平均時間>250小時,

Uptime/正常運行時間≥92% .

5. Wafer Breakage/碎片率≤1/10000PCs

6.Descum WPH/descum 產(chǎn)能≥90wafers(基於20秒descum工藝時間程式)

7.base pressure/腔體底壓≤20mTorr;leakage check腔體漏率≤10mtorr/min

8.Partical/顆粒度 :<30ea@0.2um  腔體單次傳片大於0.2um的顆粒增加量小於20顆

9.支持SECS/GEM通訊協(xié)議

二、技術規(guī)格

2.1設備規(guī)格

主機部分

No.

Item/專案

Specification/規(guī)格說明

1

Plasma Source

 

RPS Plasma Source/微波等離子源,1000W, 2.45GHz

RF bias(底部射頻偏壓) 600W,13.56MHz

2

Process Chamber

工作臺chuck溫度範圍: 20~50℃;

可選chuck控溫:50~250℃

水冷機控溫

適合wafer尺寸: 200mm wafer

腔體數(shù)量: 2 Al 6061 腔體

腔體自動門:中國臺灣AdvanTorr

3

Gas Supply System

單個腔體工藝氣路3

MFC品牌:MKS

腔體氣路: O2/N2/Ar,CF4為選配氣體

4

Vacuum System

幹泵: 愛德華

壓力控制: Throttle valve 蝶閥 中國臺灣HTC

真空計:Inficon Vacuum Gauge

5

Auto Wafer Transfer  System

上料臺:2 cassette 上料臺,適合 8 inch wafers;

Cassette wafer mapping:晶圓擺放檢測

VAC Robot; 日本JEL

6

Control System

PC:工業(yè)電腦 Windows系統(tǒng)控制;

操作軟體: 介面友好,圖形化視圖,自動保存log檔

7

Safety System

EMO: 三個急停按鈕

Interlock硬體安全互鎖: 硬體互鎖包括 Power/Temp/Vacuum



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