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半導(dǎo)體曲線圖示儀IGBT測(cè)試系統(tǒng)--IWATSU CS-3000 系列

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  • 公司名稱 上海范泰電子科技有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 所在地 上海市
  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 更新時(shí)間 2024/9/30 18:50:38
  • 訪問(wèn)次數(shù) 75

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由于IGBT在功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)日趨重要,使用新的測(cè)試方法來(lái)測(cè)試產(chǎn)品特性及生產(chǎn)是必須的。在此介紹的模組化測(cè)試系統(tǒng)是瞄準(zhǔn)功率電晶體的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)量測(cè),討論的是IGBT設(shè)計(jì)者或是此類設(shè)備采購(gòu)者最關(guān)切的需求。首先列出IGBT測(cè)試所須的線路圖并定義所有的參數(shù),最后再就控制系統(tǒng)的選擇舉一實(shí)例來(lái)說(shuō)明該系統(tǒng)的基本架構(gòu)。

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

 

聯(lián)絡(luò):上海范泰電子科技有限公司

 

前言

 

由于IGBT在功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)日趨重要,使用新的測(cè)試方法來(lái)測(cè)試產(chǎn)品特性及生產(chǎn)是必須的。在此介紹的模組化測(cè)試系統(tǒng)是瞄準(zhǔn)功率電晶體的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)量測(cè),討論的是IGBT設(shè)計(jì)者或是此類設(shè)備采購(gòu)者最關(guān)切的需求。首先列出IGBT測(cè)試所須的線路圖并定義所有的參數(shù),最后再就控制系統(tǒng)的選擇舉一實(shí)例來(lái)說(shuō)明該系統(tǒng)的基本架構(gòu)。

 

IGBT測(cè)試系統(tǒng)需求

 

近年來(lái),電子工業(yè)不斷發(fā)展功率元件及系統(tǒng),而電力電子工業(yè)中使用IGBT裝置的數(shù)量也急速增加。由半導(dǎo)體至電力產(chǎn)品之制造廠皆希望在這些產(chǎn)品中改善成較好的效率及降低所有工業(yè)制程步驟的成本,從產(chǎn)品的研發(fā)至最后產(chǎn)品品質(zhì)的控制過(guò)程皆必須被完善控制。對(duì)這些所有的步驟,測(cè)試相對(duì)地變的非常重要,且必需準(zhǔn)確及可靠。對(duì)在生產(chǎn)過(guò)程而言, 測(cè)試設(shè)備須具備多樣的特點(diǎn)來(lái)配合不同的測(cè)試需求。研發(fā)工程師需要知道其特性便于其設(shè)計(jì),生產(chǎn)的人員須要快速且容易使用的工具,可控制他們的生產(chǎn)制程,品質(zhì)管制人員則需要檢查他們所組合的產(chǎn)品的特性及收集他們的結(jié)果來(lái)做統(tǒng)計(jì)分析。

 

(一)多用途性(Versatility)

 

現(xiàn)代的測(cè)試設(shè)備所須的功能,必須能不被限制其電流及電壓之供給。目前IGBT的產(chǎn)品其電流可通過(guò)1200A及阻斷電壓可高達(dá)3300V,但不久之后IGBT的產(chǎn)品即會(huì)有達(dá)到4500V及2000A的能力。且無(wú)人可預(yù)測(cè)未來(lái)其電壓及電流可達(dá)到多少,再者,現(xiàn)今IGBT 的測(cè)試設(shè)備,也須能測(cè)試新元件MCTS ( MOS ContrlledThyristort) 或是IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)。

 

因此,測(cè)試設(shè)備的評(píng)估上,須能適應(yīng)及符合未來(lái)可能的發(fā)展,其不論是硬體,如電壓電流產(chǎn)生器或軟體上。

 

IWATSU公司推出的CS-3000給用戶提出了的解決方案

 

(二)操作簡(jiǎn)單(Ease of Handling)

 

測(cè)試設(shè)備除了上述之特色外,應(yīng)仍保持操作簡(jiǎn)單及效率佳的能力。達(dá)此目的之方法即是使用者不須具備特殊訓(xùn)練即可操作此設(shè)備。如有使用晶體管特性圖示儀的用戶,操作起來(lái)會(huì)更加方便。此測(cè)試系統(tǒng)亦可經(jīng)常地改變測(cè)試的半導(dǎo)體元件的型式(通常一天數(shù)次),對(duì)新的半導(dǎo)體元作的型式其可能會(huì)須要不同的制具(jig),或是更復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)閘控制,或是一緩沖器 (Sunbber) 的保護(hù)等。因此,使用模組化系 統(tǒng)即可達(dá)到上述之需求。在一個(gè)基本的測(cè)試系統(tǒng)上,加上一些可更換的測(cè)試單元,使其可執(zhí)行不同范圍產(chǎn)品的量測(cè)。

 

(三)安全性(Safety)

 

IGBT的測(cè)試系統(tǒng)因其可提供非常高的電壓輸出,對(duì)操作者來(lái)講是有一 潛在的危險(xiǎn)性,當(dāng)在操作高電壓及大電流時(shí),操作員的安全性應(yīng)予以考慮,即該設(shè)備須在不同國(guó)家的規(guī)范中皆可符合其安全標(biāo)準(zhǔn)。

 

在執(zhí)行測(cè)試時(shí),在危險(xiǎn)的區(qū)域應(yīng)使用滑動(dòng)式門鎖定而予以保護(hù),所有參數(shù)皆應(yīng)設(shè)置于安全的工作區(qū)域中,所有的保護(hù)措施的控制皆應(yīng)由硬體部份來(lái)控制,而不是軟體來(lái)控制。很顯然的,在整條生產(chǎn)線上(研發(fā)測(cè)試時(shí)),時(shí)間是一個(gè)很重要的因素,因此,安全系統(tǒng)必須要很方便,而盡可能地對(duì)測(cè)試的速度影響愈小愈好。

 

靜態(tài)測(cè)試(Static tests)

 

此測(cè)試之目的在提供元件(device)的詳細(xì)特性,讓設(shè)計(jì)者能精確地預(yù)測(cè)元件在穩(wěn)態(tài)(Steady state)情況時(shí)之行為,此可協(xié)助使用者選擇的元件來(lái)用于他的應(yīng)用中,更進(jìn)一步地讓其對(duì)與半導(dǎo)體元件相連接的設(shè)備如:電壓鉗式單元,閘極驅(qū)動(dòng),冷卻系統(tǒng)等的設(shè)計(jì)更為妥切。

 

(一)集射極崩潰電壓 (Collector Emitter Breakdown Voltage) VCEs

 

量測(cè)于特定的集極電流IC下閘極短路至射極時(shí),跨于集、射極兩端之電壓為VcEs, IGBT 的集射極崩潰電壓是會(huì)隨著介面(Junction)溫度增加而增加的(典型對(duì)600V之IGBT 會(huì)有0.7V)

 

(二)集極至射極的泄漏電流IcEs [或稱為集極的截止(Cut-off )電流]

 

在額定的集射極電壓和閘射極短路下之集極電流為IcEs值(如圖2), IcEs的量測(cè)通常在25及的工作介面(Junction)溫度,且集極泄漏電流 亦會(huì)隨介面溫度升高而增加。因此,在測(cè)試期間限制電流流過(guò)及避免 thermal升高是很重要的。

 

(三)集極至射極的飽和電壓   (Collector to emitter saturation voltage) VcEsat

VcEsat 是在特定的集極電流,閘射極電壓及介面溫度時(shí)之集射極導(dǎo)通電壓VcEsat是相當(dāng)重要的特性,因?yàn)槠鋾?huì)決定導(dǎo)通之損失,在大的 極電流時(shí),測(cè)試的脈沖必須非常短,如此不致有過(guò)多之損失。

 

(四)二極體順向電壓(Diode Forward Voltage) VF

 

VF是指IGBT模組中的飛輪二極體(Freewheeling Diode)在特定電流

 

及介面溫度時(shí)之順向?qū)妷褐怠?/p>

 

(五)閘極臨界電壓(Gate threshold Voltage) VGeth

 

VGeth 是指在特定集極電流及閘極短路至集極時(shí)之射極的電壓值。 當(dāng)閘射極電壓小于臨界值時(shí)IGBT是OFF狀態(tài),因此閘極臨界電壓即是閘射極電壓使IGBT導(dǎo)通并流過(guò)特定的集極電流。VGEth是隨著介面溫度遽增而遞減的(-11mV)。

 

(六 )跨導(dǎo)(Transconductance) gfs

 

跨導(dǎo)(gfs) 是于特定集極電流時(shí),集極電流和閘射極電壓之商數(shù) 。 跨導(dǎo)是用來(lái)表示IGBT增益的方式。由于跨導(dǎo)的量測(cè)是在清楚嚴(yán)格的特定條件下所做的兩個(gè)量測(cè)之值,因此,測(cè)試設(shè)備的精準(zhǔn)性對(duì)測(cè)試結(jié)果有很大的影向力。

 

第二種方法是調(diào)整閘射極電壓至特定的集射極電壓(VP)并思考下列式子:

 

VGE = Vp

 

IGBT的順向跨導(dǎo)是會(huì)隨著介面溫度升高而增加的,其原因在于定閘極電壓時(shí),增加集極電流時(shí),因電流Thermal run-away而會(huì)使晶片溫度升高,因此IGBT 并不被建議來(lái)當(dāng)做一個(gè)線性放大器使用。

 

(七)閘極電荷(QGE, QcG, QG)及閘極電容(Cies, Coes, Cres)

 

QGE 是由驅(qū)動(dòng)電路傳送。使用閘射極電壓達(dá)可維持特定集極電流之電荷值。 QCE是由驅(qū)動(dòng)電路傳送。允許跨于閘極電容的電壓,由特定之值降至最后導(dǎo)通值之電荷值。 QG是閘極總電荷值,是QGe是QcG及另一附加之成份之總和,此附加之值和閘極"Overdrive"電壓有關(guān)由于有一些未知的雜散(stray) 電容存在電路中,所以校正脈沖是必須的。在每一測(cè)試前都會(huì)先測(cè)試雜散(Stray)電容,并用該值來(lái)修正閘極電荷電容之值。此雜散電容會(huì)依接線及氣候溫度等條件而變化。

 

閘極電荷及電容之規(guī)格在規(guī)劃閘極驅(qū)動(dòng)電路及決定閘極驅(qū)動(dòng)損失時(shí)是非常有用的。

 

(八)閘極至射極之泄漏電流IGEs

 

IGEs 是指在特定的閘射極電壓及集極短路至射極時(shí)閘極之泄漏電流 。此測(cè)試可能可以知道正或負(fù)的閘射極電壓。所量測(cè)的電流是相當(dāng)小的,因此,脈沖至少須維持一個(gè)電源周期的積分時(shí)間,避免因閘極電容吸收的電流所產(chǎn)生之誤差。此量測(cè)必須在閘極電壓穩(wěn)定后才可進(jìn)行。


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