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美國(guó)EOS Si探測(cè)器（響應(yīng)波段范圍：0.2-1.1um）

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面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 西安立鼎光電科技有限公司
品牌
型號(hào)
所在地 西安市
廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2024/11/19 13:47:55
訪問(wèn)次數(shù) 6

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開(kāi)模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開(kāi)模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

我也要發(fā)布產(chǎn)品信息

硅探測(cè)器硅的探測(cè)器的工作波長(zhǎng)在0.3-1.0微米

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硅探測(cè)器

硅的探測(cè)器的工作波長(zhǎng)在0.3-1.0微米。在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片

（長(zhǎng)波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。

室溫Si探測(cè)器

探測(cè)器類型	有效直徑 (mm)	并聯(lián)電阻 (MΩ)	并聯(lián)電容 (PF),tpy	工作波長(zhǎng) (nm)	光譜響應(yīng)率 (A/W)	NEP（W/Hz^1/2) @800nm,1KHz
S-010	1.0	500	25	300-1000	0.55@850nm	<1.0x10^-14
UVS-010	1.0	500	50	200-1000	0.55@800nm	<1.0x10^-14
S-025	2.5	500	400	300-1000	0.55@850nm	<1.0x10^-14
UVS-025	2.5	200	300	200-1000	0.50@800nm	<1.5x10^-14
S-050	5	200	1500	350-1100	0.55@850nm	<1.5x10^-14@850nm
UVS-050	5	50	1000	200-1100	0.50@800nm	<3.0x10^-14@700nm
S-100	10	10	1000	350-1100	0.50@850nm	<1.0xv@850nm
UVS-100	10	50	1800	200-1000	0.50@800nm	<5x10^-14@800nm
S-113	11.3	200	9000	300-1100	0.55@850nm	<1.5x10^-14
UVS-113	11.3	10	4000	200-1000	0.50@800nm	<1.0x10^-13

二級(jí)制冷Si探測(cè)器

探測(cè)器類型	工作溫度(℃)	并聯(lián)電阻 (MΩ)	并聯(lián)電容 (PF),tpy	NEP（W/Hz^1/2) @800nm	響應(yīng)率@850nm (A/W)	制冷器工作電流(A)
S-010-TE2	22	500	25		0.55	0.00
S-010-TE2	-30	>1000	25		0.55	0.65
UVS-010-TE2	22	500	50		0.55	0.00
UVS-010-TE2	-30	>1000	50		0.55	0.65
S-025-TE2	22	100	400	<1.9x10^-14	0.55	0.00
S-025-TE2	-30	>1000	400	<5x10^-15	0.55	0.65
UVS-025-TE2	22	200	300	<1.5x10^-14	0.55	0.00
UVS-025-TE2	-30	>1000	300	<10^-14	0.55	0.65
S-050-TE2	22	>200	1000	<1.5x10^-14	0.55	0.00
S-050-TE2	-30	>1000	1000	<10^-14	0.55	0.65
UVS-050-TE2	22	>100	1000	<2x10^-14	0.55	0.00
UVS-050-TE2	-30	>1000	1000	<10^-14	0.55	0.65
S-100-TE2	22	10	1000	<1.0x10^-13	0.50	0.00
S-100-TE2	-30	500	900	<1.0x10^-14	0.50	0.70
UVS-100-TE2	22	50	1800	<5.0x10^-14	0.50	0.00
UVS-100-TE2	-30	1000	1600	<1.0x10^-14	0.50	0.70