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RAMSES 水下光譜儀

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高光譜,連續(xù)采集光譜數(shù)據(jù)??蓽y量輻照度和輻亮度,可用于水中測量,也可用于空氣中測量。

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

 RAMSES系列傳感器采集目標(biāo)光譜信息,通過分析光譜文件,從中取得與研究目標(biāo)相關(guān)的光譜信息與測量數(shù)據(jù)。該儀器為精確的高光譜分析應(yīng)用提供*方便??蓽y量輻照度和輻亮度,可用于水中測量,也可用于空氣中測量。

 

特點(diǎn):

輻照度和輻亮度測量

傳感器式設(shè)計(jì) 

低功耗 

體積小 

應(yīng)用范圍廣

精度高 

空氣和水中校準(zhǔn) 

模塊化系統(tǒng) 

的納米涂層技術(shù)

應(yīng)用:

光譜數(shù)據(jù)在線連續(xù)監(jiān)測

衛(wèi)星數(shù)據(jù)驗(yàn)證--衛(wèi)星數(shù)據(jù)的地面實(shí)證

生物學(xué)--光照、紫外對(duì)生物的影響

光合作用--在不同光譜條件植物生長研究

顏色測量

氣候?qū)W--大氣研究

水色遙感

 

根據(jù)測量類型、收集器類型等不同,該系列可分成四類: 

*類 RAMSES-ARC   高光譜UV-VIS 輻亮度傳感器

 

  參數(shù): 

  field of view: 7° in air 

  波長: 320 - 950 nm  

  檢測器: 256 通道硅膜光電陣列 

  光譜采樣: 3.3nm/pixel  

  光譜精度: 0.3nm  

  實(shí)際使用通道: 190  

  典型飽和度(at 200nm): 1wm-2 nm-1 sr -1 

 

第二類 RAMSES-ACC-VIS   高光譜UV-VIS 余弦輻照度傳感器

 

  參數(shù): 

  收集器類型:余弦檢測器 

  波長: 320 - 950 nm  

  檢測器: 256 channel silicon photodiode array  

  光譜采樣: 3.3nm/pixel  

  光譜精度: 0.3nm  

  實(shí)際使用通道: 190  

  典型飽和度(4 ms integration time):  

       10 W m-2 nm-1 (at 400nm)  

       8 W m-2 nm-1 (at 500nm)  

       14 W m-2 nm-1 (at 700nm)  

  典型NEI(8 sec integration time):  

       0.4 µW m-2 nm-1 (at 400nm)  

       0.4 µW m-2 nm-1 (at 500nm)  

       0.6 µW m-2 nm-1 (at 700nm)  

 

第三類 RAMSES-ACC-UV   高光譜紫外余弦輻照度傳感器

 

  參數(shù): 

  收集器類型: 余弦檢測器 

  波長: 280 - 500 nm  

  檢測器: 256 通道硅光敏二極管陣列  

  光譜采樣: 2.2 nm/pixel  

  光譜精度: 0.2 nm  

  實(shí)際使用通道: 100  

  典型飽和度(4ms integration time):  

        20 W m-2 nm-1 sr -1 (at 300nm)  

        17 W m-2 nm-1 sr -1 (at 360nm)  

        18W m-2 nm-1 sr -1 (at 500nm)  

  典型NEI(8ms integration time):  

        0.85 µW m-2 nm-1 sr -1 (at 300nm)  

        0.75 µW m-2 nm-1 sr -1 (at 360nm)  

        0.80 µW m-2 nm-1 sr -1 (at 500nm) 

 

 

第四類 RAMSES-ASC-VIS   高光譜UV-VIS Scalar輻照度傳感器 

  

  參數(shù): 

  收集器類型: 球形檢測器 2 Pi 

  波長: 320 - 950 nm  

  檢測器: 256 channel silicon photodiode array  

  光譜采樣: 3.3nm/pixel  

  光譜精度: 0.3nm  

  實(shí)際使用通道: 190  

  典型飽和度(4 ms integration time):  

        20 W m-2 nm-1 (at 400nm)  

        12 W m-2 nm-1 (at 500nm)  

        15 W m-2 nm-1 (at 700nm)  

  典型NEI(8 sec integration time):  

        0.8 µW m-2 nm-1 (at 400nm)  

        0.6 µW m-2 nm-1 (at 500nm)  

        0.8 µW m-2 nm-1 (at 700nm)  


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