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硬盤磁頭, 是硬盤讀取數(shù)據(jù)的關鍵部件, 磁頭的好壞在很大程度上決定著硬盤盤片的存儲密度.
GMR 磁頭的使用了磁阻效應更好的材料和多層薄膜結構, 這比以前的傳統(tǒng)磁頭和MR（Magneto Resisive）磁阻磁頭更為敏感, 相對的磁場變化能引起來大的電阻值變化, 從而實現(xiàn)更高的存儲密度.
某硬盤磁頭制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 應用于硬盤磁頭鍍制GMR磁頭導電材料和磁性材料薄膜構.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術參數(shù)
Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
均勻性 | ±5% | |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | |
樣品臺 | 直接冷卻,水冷 | |
離子源 | Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數(shù):
離子源型號 | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的樣品臺可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實現(xiàn) GMR 磁頭均勻地接受離子的轟擊, 進而實現(xiàn)提高 GMR 磁頭的加工質(zhì)量.
若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡方式 :
上海伯東 : 羅先生
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展會城市：重慶市展會時間：2024-11-15