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KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備

來(lái)源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2023年07月04日 15:26

KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 Metal Thermal Evaporation System
熱蒸發(fā)是物理氣相沉積 PVD 中常用方法. 使用電加熱的蒸發(fā)源可用于沉積大多數(shù)的有機(jī)和無(wú)機(jī)薄膜, 其中以電阻式加熱法為常見. 這些蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為它們可以提供一種簡(jiǎn)單的薄膜沉積方法, 以電流通過(guò)其容納材料的舟為方式, 從而加熱材料. 當(dāng)沉積材料的蒸氣壓超過(guò)真空室的溫度時(shí), 材料將開始蒸發(fā)并沉積到基板上并且在于熱蒸發(fā)時(shí)可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度, 且薄膜的厚度和均勻度小于 +/- 3％. 上海伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備

----------- 金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 Metal Thermal Evaporation System ----------

KRI 射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽(yáng)極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

KRI 考夫曼離子源 KDC 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
Discharge 陽(yáng)極	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	1-5 sccm	2-10 sccm	2-15 sccm	2-20 sccm	2-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	11.5 cm	17.1 cm	20.1 cm	23.5 cm	25.2 cm
直徑	4 cm	9 cm	14 cm	19.4 cm	23.2 cm
中和器	燈絲

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上海伯東: 羅先生

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