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KRI 射頻離子源應(yīng)用于多層膜磁控濺鍍設(shè)備

來源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2023年07月05日 14:12

上海伯東代理美國 KRI 射頻離子源應(yīng)用于多層膜磁控濺鍍設(shè)備 Multilayer sputter, 通過使用 KRI 射頻離子源可實現(xiàn)基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密. 膜基附著力更好, 膜層不易脫落.
KRI 射頻離子源應(yīng)用于多層膜磁控濺鍍設(shè)備
多層膜的結(jié)構(gòu)廣泛用于各個領(lǐng)域, 而對于精密系統(tǒng)則需要更嚴格的規(guī)格, 包括光, 聲音和電子組件. 在單一材料薄膜無法滿足所需規(guī)格的精密系統(tǒng)中, 高質(zhì)量多層膜的作用變得越來越重要. 因此, 新材料的開發(fā)和薄膜的精確控制制程已成為當(dāng)前多層薄膜研究的重要方向. 特殊設(shè)計的多層膜磁控濺鍍系統(tǒng)擁有基板公自轉(zhuǎn)機構(gòu), 可實現(xiàn)精準的多層膜結(jié)構(gòu)并可以一次批量生產(chǎn).

多層膜磁控濺鍍設(shè)備 Multilayer sputter 載臺可公自轉(zhuǎn)或定在靶材位置自轉(zhuǎn)

上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數(shù):

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解 KRI 離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生

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