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KRI 離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍設(shè)備  Co-sputter
上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍設(shè)備 Co-sputter 實現(xiàn)高質(zhì)量的復(fù)合式薄膜!
磁控共濺鍍主要用于復(fù)合金屬或復(fù)合材料, 通過分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍 (靶材) 的功率來控制薄膜質(zhì)量, 其薄膜厚度取決于濺鍍時間.
特殊系統(tǒng)設(shè)計的磁控共濺鍍腔提供了精準控制多個磁控濺鍍的制程條件, 為客戶提供更好質(zhì)量的復(fù)合式薄膜.

濺鍍腔中, 有單片和多片式的 loading chamber, 可節(jié)省其制程腔體的抽氣時間, 進而節(jié)省整體實驗時間.

----------------------------------- 上海伯東美國 KRI 離子源安裝于濺鍍腔中 -------------------------------------

通過使用上海伯東 KRI 離子源可實現(xiàn)基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
濺鍍腔中在載臺部分可獨立施打偏壓, 對其基板進行清潔與增加材料的附著性等功能.

上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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上海伯東: 羅先生