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上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源簡介

來源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2023年07月05日 14:19

KRI 離子源
考夫曼離子源創(chuàng)始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美國出生, 1951年加入美國 NASA 路易斯研究中心, 60年考夫曼博士發(fā)明了電子轟擊離子推進(jìn)器并以他的名字命名(考夫曼推進(jìn)器). 1969年美國航空航天學(xué)會 AIAA 授予他 James H. Wyld 推進(jìn)獎, 1970年考夫曼推進(jìn)器贏得了IR 100 (前身研發(fā)100獎), 1971年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務(wù)獎.
2016年, 美國 NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂

1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國科羅拉多州的柯林斯堡創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 簡稱 KRI, 研發(fā)生產(chǎn)商用寬束離子源和電源控制器. 為世界各地的高科技企業(yè),真空系統(tǒng)設(shè)備商和研究機(jī)構(gòu)提供*的解決方案. 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
KRI 考夫曼離子源
KRI 離子源主要產(chǎn)品
上海伯東美國 KRI 離子源是以真空為基礎(chǔ)的加工工具, 在原子水平上與材料相互作用, 適用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 等, KRI 提供無柵極離子源和柵極離子源, 類型包含考夫曼離子源, 霍爾離子源, 射頻離子源和電源控制器, 共計(jì)超過 25種規(guī)格, 累積銷售 3500+ 臺!
KRI 考夫曼離子源
射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)規(guī)格:

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

考夫曼離子源 KDC 系列技術(shù)規(guī)格:

型號	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
Discharge 陽極	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	1-5 sccm	2-10 sccm	2-15 sccm	2-20 sccm	2-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	11.5 cm	17.1 cm	20.1 cm	23.5 cm	25.2 cm
直徑	4 cm	9 cm	14 cm	19.4 cm	23.2 cm
中和器	燈絲

霍爾離子源 eH 系列技術(shù)規(guī)格:

型號	eH 400	eH 1000	eH1000 xO2	eH 2000	eH 3000
Cathode/Neutralizer	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC HC HC	HC
陽極電壓	50-300V 30-150V	50-300V 30-150V 50-300V	100-300V	50-300V 30-150V 50-250V	50-250V 50-300V 50-250V
電流	5A 10A	10A 12A 5A	10A	10A 15A 15A	20A 10A 15A
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45
氣體流量	2-25sccm	2-50sccm	2-50sccm	2-75sccm	5-100sccm
高度	3.0“	4.0“	4.0“	4.0“	6.0“
直徑	3.7“	5.7“	5.7“	5.7“	9.7“
水冷	可選	可選	可選	是	可選

KRI 離子源主要應(yīng)用
作為一種新興的材料加工技術(shù), 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術(shù)性能, 協(xié)助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國 KRI 考夫曼離子源主要應(yīng)用于真空環(huán)境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.

離子清洗和輔助鍍膜: 霍爾離子源加裝于真空腔內(nèi), 對樣品進(jìn)行預(yù)清洗和輔助鍍膜
霍爾離子源輔助鍍膜

離子清洗和濺射鍍膜: 射頻離子源加裝于真空腔內(nèi), 對樣品進(jìn)行預(yù)清洗和濺射鍍膜
射頻離子源,濺射鍍膜

在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試
上海伯東美國 KRI 離子源
測試結(jié)果
上海伯東RFICP325脫模測試

--------- 使用其他品牌離子源--- --------------------- 使用美國考夫曼 KRI RFICP 325 離子源 ----------------------

從上圖可以清楚看出, 使用其他品牌離子源, 樣品存在崩邊的問題; 使用上海伯東美國 KRI 離子源, 樣品無崩邊

美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專, 在此領(lǐng)域中, KRI 離子源是認(rèn)的, KRI 團(tuán)隊(duì)成員撰寫了超過 100篇文章, 出版物, 書籍和技術(shù)論文,為推進(jìn)寬波束設(shè)備和材料加工領(lǐng)域行業(yè)的知識體系做出貢獻(xiàn)!

上海伯東是美國考夫曼離子源 Kaufman & Robinson, Inc 中國總代理. 美國考夫曼公司離子源已廣泛應(yīng)用于離子濺射鍍膜 IBSD. 考夫曼離子源可控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使濺射時靶材被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質(zhì)量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射工藝條件選擇 RFICP 射頻電源式考夫曼離子源或是 KDC 直流電原式考夫曼離子源.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東：羅先生

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